公开(公告)号：US08569173B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13314270

申请日：2011-12-08

申请人： Liang Li ,  Huang Liu ,  Alex See ,  Soh Yun Siah ,  Xue Song Rao ,  Peng Zhou

发明人： Liang Li ,  Huang Liu ,  Alex See ,  Soh Yun Siah ,  Xue Song Rao ,  Peng Zhou

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L27/11534 ,  H01L21/28273

摘要： Disclosed herein are various methods of protecting elevated polysilicon structures during etching processes. In one example, the method includes forming a layer stack above a semiconducting substrate for a memory device, forming a protective mask layer above the layer stack of the memory device and performing at least one etching process to define a gate electrode for a transistor while the protective mask is in position above the layer stack for the memory device.

摘要翻译： 本文公开了在蚀刻工艺期间保护升高的多晶硅结构的各种方法。 在一个示例中，该方法包括在用于存储器件的半导体衬底之上形成层堆叠，在存储器件的层堆叠之上形成保护掩模层，并执行至少一个蚀刻工艺以限定晶体管的栅电极，而 保护罩位于存储器件的层堆叠之上。

公开(公告)号：US20130149851A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13314270

申请日：2011-12-08

申请人： Liang Li ,  Huang Liu ,  Alex See ,  Soh Yun Siah ,  Xue Song Rao ,  Peng Zhou

发明人： Liang Li ,  Huang Liu ,  Alex See ,  Soh Yun Siah ,  Xue Song Rao ,  Peng Zhou

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11534 ,  H01L21/28273

摘要： Disclosed herein are various methods of protecting elevated polysilicon structures during etching processes. In one example, the method includes forming a layer stack above a semiconducting substrate for a memory device, forming a protective mask layer above the layer stack of the memory device and performing at least one etching process to define a gate electrode for a transistor while the protective mask is in position above the layer stack for the memory device.

摘要翻译： 本文公开了在蚀刻工艺期间保护升高的多晶硅结构的各种方法。 在一个示例中，该方法包括在用于存储器件的半导体衬底之上形成层堆叠，在存储器件的层堆叠之上形成保护掩模层，并执行至少一个蚀刻工艺以限定晶体管的栅电极，而 保护罩位于存储器件的层堆叠之上。