公开(公告)号：US07002839B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10827366

申请日：2004-04-20

申请人： Makoto Kawabata ,  Kazuya Harii ,  Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

发明人： Makoto Kawabata ,  Kazuya Harii ,  Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/155

摘要： The present invention relates to a magnetic ring unit and a magnetic memory device; an object of the invention is to control the direction of rotation of the magnetic flux freely and with high reproducibility in a simple structure without using a thermal process such as pinning; and a magnetic ring unit is formed of a magnetic ring in eccentric ring form where the center of the inner diameter is located at a decentered position relative to the center of the outer diameter.

摘要翻译： 本发明涉及磁环单元和磁存储器件; 本发明的目的是在不使用诸如钉扎的热处理的情况下以简单的结构自由地且以高重现性自由地控制磁通量的旋转方向; 并且磁环单元由偏心环形式的磁环形成，其中内径的中心位于相对于外径中心的偏心位置。

公开(公告)号：US20080130355A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11666172

申请日：2005-10-26

申请人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

发明人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

摘要： The invention relates to a magneto-resistance effect element and a magnetic memory device. Lowering the magnetic domain wall movement current and drive at room temperature in a current induction single magnetic domain wall movement phenomenon are achieved.A magneto-resistance effect element is formed by including at least: a magnet wire 1 for forming magnetic domain wall potential 7 binding a single magnetic domain wall 2; a magnetic field applying means for generating a magnetic field for introducing the single magnetic domain wall 2 into the magnet wire 1; and a drive current applying means for applying the current 3 including a resonance frequency component determined on the basis of the magnetic domain wall potential 7.

摘要翻译： 本发明涉及磁阻效应元件和磁存储器件。 降低磁畴壁移动电流，并在室温下驱动电流感应单磁畴壁运动现象。 通过至少包括：用于形成磁畴壁电位7的磁铁线1，形成结合单个磁畴壁2的磁阻效应元件; 用于产生用于将单个磁畴壁2引入到磁体线1中的磁场的磁场施加装置; 以及驱动电流施加装置，用于施加包括基于磁畴壁电位7确定的共振频率分量的电流3。

公开(公告)号：US07826257B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12511386

申请日：2009-07-29

申请人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

发明人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

摘要： The invention relates to a magneto-resistance effect element and a magnetic memory device. Lowering the magnetic domain wall movement current and drive at room temperature in a current induction single magnetic domain wall movement phenomenon are achieved. A magneto-resistance effect element is formed by including at least: a magnet wire 1 for forming magnetic domain wall potential 7 binding a single magnetic domain wall 2; a magnetic field applying means for generating a magnetic field for introducing the single magnetic domain wall 2 into the magnet wire 1; and a drive current applying means for applying the current 3 including a resonance frequency component determined on the basis of the magnetic domain wall potential 7.

摘要翻译： 本发明涉及磁阻效应元件和磁存储器件。 降低磁畴壁移动电流，并在室温下驱动电流感应单磁畴壁运动现象。 通过至少包括：用于形成磁畴壁电位7的磁铁线1，形成结合单个磁畴壁2的磁阻效应元件; 用于产生用于将单个磁畴壁2引入到磁体线1中的磁场的磁场施加装置; 以及驱动电流施加装置，用于施加包括基于磁畴壁电位7确定的共振频率分量的电流3。

公开(公告)号：US07586781B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11666172

申请日：2005-10-26

申请人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

发明人： Eiji Saitoh ,  Hideki Miyajima

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

摘要： The invention relates to a magneto-resistance effect element and a magnetic memory device. Lowering the magnetic domain wall movement current and drive at room temperature in a current induction single magnetic domain wall movement phenomenon are achieved.A magneto-resistance effect element is formed by including at least: a magnet wire 1 for forming magnetic domain wall potential 7 binding a single magnetic domain wall 2; a magnetic field applying means for generating a magnetic field for introducing the single magnetic domain wall 2 into the magnet wire 1; and a drive current applying means for applying the current 3 including a resonance frequency component determined on the basis of the magnetic domain wall potential 7.

摘要翻译： 本发明涉及磁阻效应元件和磁存储器件。 降低磁畴壁移动电流，并在室温下驱动电流感应单磁畴壁运动现象。 通过至少包括：用于形成磁畴壁电位7的磁铁线1，形成结合单个磁畴壁2的磁阻效应元件; 用于产生用于将单个磁畴壁2引入到磁体线1中的磁场的磁场施加装置; 以及驱动电流施加装置，用于施加包括基于磁畴壁电位7确定的共振频率分量的电流3。

公开(公告)号：US5629198A

公开(公告)日：1997-05-13

申请号：US175438

申请日：1994-01-12

申请人： Kenji Mizumoto ,  Hiroshi Tsuboi ,  Hideki Miyajima ,  Hiroshi Fujimoto ,  Katsumi Ajisaka ,  Yukio Fujiki ,  Hajime Tsunoo

发明人： Kenji Mizumoto ,  Hiroshi Tsuboi ,  Hideki Miyajima ,  Hiroshi Fujimoto ,  Katsumi Ajisaka ,  Yukio Fujiki ,  Hajime Tsunoo

IPC分类号： A61K31/40 ,  A61K31/555 ,  A61K38/00 ,  A61K47/48 ,  C07D487/22 ,  C07K14/765 ,  A61K39/00 ,  C07K1/00 ,  G01N33/53 ,  G01N33/564

CPC分类号： C07D487/22 ,  A61K31/40 ,  A61K31/555 ,  A61K47/48238 ,  C07K14/765 ,  A61K38/00 ,  Y10S435/974 ,  Y10S435/975

摘要： The invention relates to an anti-HIV agent comprising, as an active ingredient, at least one porphyrin derivative selected from the following derivatives (A) and (B):(A) porphyrins modified with a compound selected from carbodiimides, alkylenediamines and alcohols; and(B) complexes of a plasma protein or a chemically modified plasma protein and a porphyrin which may have been modified with a compound selected from carbodiimides, alkylenediamines and alcohols.This anti-HIV agent is excellent in killing effect on HIV-infected cells, inhibitory effect on cytopathy due to HIV infection and HIV-replication inhibiting effect, and high in safety.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00977 Sec。 371日期：1994年1月12日 102（e）日期1994年1月12日PCT提交1992年7月31日PCT公布。 出版物WO93 / 03035 日本特开1993-1985号本发明涉及含有选自以下衍生物（A）和（B）中的至少一种卟啉衍生物作为活性成分的抗HIV剂：（A）用选自碳二亚胺的化合物改性的卟啉 ，亚烷基二胺和醇; 和（B）可以用选自碳二亚胺，亚烷基二胺和醇的化合物修饰的血浆蛋白或化学修饰的血浆蛋白和卟啉的复合物。 该抗HIV剂对HIV感染细胞的杀伤效果优异，对HIV感染的细胞病变和HIV复制抑制作用的抑制作用，安全性高。