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    MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE STORAGE DEVICE, NONVOLATILE STORAGE SYSTEM, AND DATA WRITING METHOD
    1.
    发明申请
    MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE STORAGE DEVICE, NONVOLATILE STORAGE SYSTEM, AND DATA WRITING METHOD 审中-公开
    存储器控制器，非易失存储器件，非易失性存储系统和数据写入方法

    公开(公告)号：US20100082878A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：US11993631

    申请日：2006-05-24

    申请人： Manabu Inoue ,  Masahiro Nakanichi ,  Tomoaki Izumi ,  Hironori Mori ,  Kunihiro Maki ,  Toshiyuki Honda

    发明人： Manabu Inoue ,  Masahiro Nakanichi ,  Tomoaki Izumi ,  Hironori Mori ,  Kunihiro Maki ,  Toshiyuki Honda

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/08

    CPC分类号： G06F12/0246

    摘要： Used is a nonvolatile memory such as a multi-level NAND flash memory having memory cells for holding data of a plurality of pages. When the data is to be written in the nonvolatile memory 110, a physical unit is consisted in units of a plurality of paired pages. When all the physical units cannot be written, the data is copied from an old physical block holding an already written effective data, and is written in a new physical block till the written, from the first section of a new physical unit, so that an error can be prevented.

    摘要翻译： 使用的是非易失性存储器，例如具有用于保存多页数据的存储单元的多级NAND闪存。 当将数据写入非易失性存储器110时，物理单元以多个成对页的单位组成。 当所有物理单元都不能被写入时，数据从保存已经写入的有效数据的旧物理块复制，并被写入新的物理块，直到从新的物理单元的第一部分写入， 可以防止错误。

    Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and memory control method
    5.
    发明授权
    Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and memory control method 有权
    内存控制器，非易失性存储设备，非易失性存储系统和存储器控制方法

    公开(公告)号：US08051270B2

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US11914989

    申请日：2006-05-18

    申请人： Daisuke Kunimune ,  Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    发明人： Daisuke Kunimune ,  Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    IPC分类号： G06F12/06

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

    摘要： A memory controller for reducing a time to create an address management table during initialization of a memory card. The memory controller includes a read-write memory for temporarily storing the address management table and a second memory controller for writing, in a nonvolatile memory, an address management table temporarily stored in the read-write memory. The second memory controller also writes address range specifying information that specifies an address range, when a data writing destination is changed from a first address range to a second address range. The memory controller includes an address management table generator for reading distributed management information used for managing a state of at least one physical block included in the destination address range specified by the address range specifying information during initialization, and to generate the address management table based on the distributed management information.

    摘要翻译： 一种用于在存储卡初始化期间减少创建地址管理表的时间的存储器控​​制器。 存储器控制器包括用于临时存储地址管理表的读写存储器和用于在非易失性存储器中写入临时存储在读写存储器中的地址管理表的第二存储器控制器。 当数据写入目的地从第一地址范围改变到第二地址范围时，第二存储器控制器还写入指定地址范围的地址范围指定信息。 存储器控制器包括地址管理表发生器，用于读取用于管理初始化期间由地址范围指定信息指定的目的地地址范围中包括的至少一个物理块的状态的分布式管理信息，并且基于 分布式管理信息。

    STORAGE DEVICE
    6.
    发明申请
    STORAGE DEVICE 有权
    储存设备

    公开(公告)号：US20090019194A1

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：US11909749

    申请日：2006-03-24

    申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    IPC分类号： G06F3/00

    CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

    摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

    摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

    Storage device with buffer control unit
    8.
    发明授权
    Storage device with buffer control unit 有权
    带缓冲控制单元的存储设备

    公开(公告)号：US07818477B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11909749

    申请日：2006-03-24

    申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F13/00 ,  G06F1/00 ,  G06F11/00

    CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

    摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

    摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method
    9.
    发明申请
    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method 有权
    存储控制器，非易失性存储器件，非易失性存储器系统和数据写入方法

    公开(公告)号：US20070011581A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11434494

    申请日：2006-05-16

    申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

    摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory such as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

    摘要翻译： 对于采用诸如多值NAND闪速存储器等非易失性存储器的非易失性存储器件，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储在 当前页面的同一组中的其他页面被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。

    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method
    10.
    发明授权
    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method 有权
    存储控制器，非易失性存储器件，非易失性存储器系统和数据写入方法

    公开(公告)号：US07962824B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11434494

    申请日：2006-05-16

    申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

    摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory suc h as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

    摘要翻译： 采用非易失性存储器的非易失性存储器件成为多值NAND闪速存储器等，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储数据 在当前页面的同一组中的其他页面中被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。