公开(公告)号：US20090017604A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11933742

申请日：2007-11-01

申请人： Mao-Ying WANG ,  Jer-Chyi WANG ,  Wei-Hui HSU ,  Liang-Pin CHOU ,  Kuo-Hui SU ,  Chang-Rong WU ,  Chao-Sung LAI

发明人： Mao-Ying WANG ,  Jer-Chyi WANG ,  Wei-Hui HSU ,  Liang-Pin CHOU ,  Kuo-Hui SU ,  Chang-Rong WU ,  Chao-Sung LAI

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/318 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. The method for fabricating the semiconductor device comprises providing a substrate. Under an atmosphere containing a fluoride nitride compound, a plasma treatment process is performed to simultaneously fluorinate and nitrify a surface of the substrate. Thereafter, a dielectric layer is formed on the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括提供衬底。 在含有氟化氮化合物的气氛下，进行等离子体处理工艺以同时氟化和硝化基板的表面。 此后，在基板上形成电介质层。