公开(公告)号：US4312650A

公开(公告)日：1982-01-26

申请号：US194888

申请日：1980-10-07

申请人： Masao Seki ,  Hideo Sato ,  Takashi Kawata ,  Akira Omori ,  Hidekazu Abe

发明人： Masao Seki ,  Hideo Sato ,  Takashi Kawata ,  Akira Omori ,  Hidekazu Abe

IPC分类号： B01D45/12 ,  B04C1/00 ,  B04C3/00 ,  B04C5/081 ,  B04C5/14 ,  B04C7/00

CPC分类号： B01D45/12 ,  B04C1/00 ,  B04C3/00 ,  B04C5/081

摘要： A multi-stage particle separator provides a scroll and cylinder configuration in which the scroll establishes a swirling chamber and a first stage of separation and the cylinder establishes a continuing and second stage of separation.

摘要翻译： 多级颗粒分离器提供涡旋和气缸结构，其中涡旋件建立旋转室和第一级分离段，并且气缸建立连续和第二级分离阶段。

公开(公告)号：US07902586B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11976739

申请日：2007-10-26

申请人： Yasuhisa Naitoh ,  Tetsuo Shimizu ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe

发明人： Yasuhisa Naitoh ,  Tetsuo Shimizu ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L45/1226 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C2211/5614 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253

摘要： A non-volatile memory device 100 contains: an insulating substrate 10; a first electrode 20 provided on the insulating substrate 10; a second electrode 30 provided on the insulating substrate 10; and a gap 40 set between the first electrode 20 and the second electrode 30, in which a distance G between the first electrode 20 and the second electrode 30 is: 0 nm

摘要翻译： 非易失性存储装置100包含：绝缘基板10; 设置在绝缘基板10上的第一电极20; 设置在绝缘基板10上的第二电极30; 以及设置在第一电极20和第二电极30之间的间隙40，其中第一电极20和第二电极30之间的距离G为：0nm

公开(公告)号：US20090251199A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US11992883

申请日：2006-09-25

申请人： Yasuhisa Naitoh ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe ,  Tetsuo Shimizu ,  Wataru Mizutani ,  Shigeo Furuta ,  Masatoshi Ono ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Yasuhisa Naitoh ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe ,  Tetsuo Shimizu ,  Wataru Mizutani ,  Shigeo Furuta ,  Masatoshi Ono ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H03K17/00

CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12

摘要： A switching element 100 includes an insulating substrate 10, a first electrode 20 provided on the insulating substrate 10, a second electrode 30 provided on the insulating substrate 10, and an interelectrode gap 40 provided between the first electrode 20 and the second electrode 30, a distance G between the first electrode 20 and the second electrode 30 being 0 nm

摘要翻译： 开关元件100包括绝缘基板10，设置在绝缘基板10上的第一电极20，设置在绝缘基板10上的第二电极30和设置在第一电极20和第二电极30之间的电极间间隙40， 第一电极20和第二电极30之间的距离G为0nm

公开(公告)号：US20080232153A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11976739

申请日：2007-10-26

申请人： Yasuhisa Naitoh ,  Tetsuo Shimizu ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe

发明人： Yasuhisa Naitoh ,  Tetsuo Shimizu ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/1226 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C2211/5614 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253

摘要： A non-volatile memory device 100 contains: an insulating substrate 10; a first electrode 20 provided on the insulating substrate 10; a second electrode 30 provided on the insulating substrate 10; and a gap 40 set between the first electrode 20 and the second electrode 30, in which a distance G between the first electrode 20 and the second electrode 30 is: 0 nm

摘要翻译： 非易失性存储装置100包含：绝缘基板10; 设置在绝缘基板10上的第一电极20; 设置在绝缘基板10上的第二电极30; 以及设置在第一电极20和第二电极30之间的间隙40，其中第一电极20和第二电极30之间的距离G为：0nm

公开(公告)号：US08093518B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US11992883

申请日：2006-09-25

申请人： Yasuhisa Naitoh ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe ,  Tetsuo Shimizu ,  Wataru Mizutani ,  Shigeo Furuta ,  Masatoshi Ono ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Yasuhisa Naitoh ,  Masayo Horikawa ,  Hidekazu Abe ,  Tetsuo Shimizu ,  Wataru Mizutani ,  Shigeo Furuta ,  Masatoshi Ono ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H01H1/02

CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12

摘要： A switching element 100 includes an insulating substrate 10, a first electrode 20 provided on the insulating substrate 10, a second electrode 30 provided on the insulating substrate 10, and an interelectrode gap 40 provided between the first electrode 20 and the second electrode 30, a distance G between the first electrode 20 and the second electrode 30 being 0 nm

摘要翻译： 开关元件100包括绝缘基板10，设置在绝缘基板10上的第一电极20，设置在绝缘基板10上的第二电极30和设置在第一电极20和第二电极30之间的电极间间隙40， 第一电极20和第二电极30之间的距离G为0nm

公开(公告)号：US4197137A

公开(公告)日：1980-04-08

申请号：US965989

申请日：1978-12-04

申请人： Hidekazu Abe ,  Yoshifumi Nitta

发明人： Hidekazu Abe ,  Yoshifumi Nitta

IPC分类号： C04B7/44 ,  B01J6/00 ,  C04B7/43 ,  F27B7/20 ,  F27D13/00

CPC分类号： F27B7/2033 ,  C04B7/434

摘要： Process and apparatus for calcining finely divided cement raw materials including finely divided combustible materials in a suspension preheater with a calcining furnace. Finely divided calcareous materials are directly charged into the suspension preheater while finely divided argillaceous materials, including combustibles such as oil shale, are charged into a bypass duct for bypassing part of the high temperature gases in the suspension preheater to a calcining zone or calcining furnace. The raw materials charged into the bypass duct are subjected to thermal decomposition, resulting in solids and combustible gases. The combustible gases are separated from the solids and are charged into the calcining zone or calcining furnace while the separated solids are charged into the suspension preheater, mixed with the finely divided calcareous materials, preheated and calcined. Since the finely divided argillaceous materials are mixed with the finely divided calcareous materials, the smooth flow of the cement raw materials in the suspension preheater is ensured.

摘要翻译： 在具有煅烧炉的悬浮预热器中煅烧细分的水泥原料（包括细碎的可燃材料）的方法和设备。 精细分解的钙质材料直接装入悬浮预热器中，同时将细碎的泥质材料（包括可燃物如油页岩）装入旁路管道中，以将悬浮预热器中的一部分高温气体旁路到煅烧区或煅烧炉。 装入旁通管道的原料经受热分解，产生固体和可燃气体。 将可燃气体与固体分离，并将其装入煅烧区或煅烧炉中，同时将分离的固体装入悬浮预热器中，与细碎的钙质材料混合，预热和煅烧。 由于细碎的泥质材料与细碎的钙质材料混合，确保了悬浮预热器中水泥原料的平稳流动。