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    STORAGE DEVICE
    1.
    发明申请
    STORAGE DEVICE 有权
    储存设备

    公开(公告)号：US20090019194A1

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：US11909749

    申请日：2006-03-24

    申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    IPC分类号： G06F3/00

    CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

    摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

    摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

    Storage device with buffer control unit
    2.
    发明授权
    Storage device with buffer control unit 有权
    带缓冲控制单元的存储设备

    公开(公告)号：US07818477B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11909749

    申请日：2006-03-24

    申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

    IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F13/00 ,  G06F1/00 ,  G06F11/00

    CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

    摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

    摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method
    4.
    发明申请
    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method 有权
    存储控制器，非易失性存储器件，非易失性存储器系统和数据写入方法

    公开(公告)号：US20070011581A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11434494

    申请日：2006-05-16

    申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

    摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory such as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

    摘要翻译： 对于采用诸如多值NAND闪速存储器等非易失性存储器的非易失性存储器件，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储在 当前页面的同一组中的其他页面被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。

    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method
    9.
    发明授权
    Memory controller, nonvolatile memory device, nonvolatile memory system and data writing method 有权
    存储控制器，非易失性存储器件，非易失性存储器系统和数据写入方法

    公开(公告)号：US07962824B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11434494

    申请日：2006-05-16

    申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

    摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory suc h as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

    摘要翻译： 采用非易失性存储器的非易失性存储器件成为多值NAND闪速存储器等，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储数据 在当前页面的同一组中的其他页面中被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。