公开(公告)号：US5997638A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US438217

申请日：1995-05-09

申请人： Matthew Warren Copel ,  Michael Horn von Hoegen ,  Francoise Isabelle Kolmer Le Goues ,  Rudolf Maria Tromp

发明人： Matthew Warren Copel ,  Michael Horn von Hoegen ,  Francoise Isabelle Kolmer Le Goues ,  Rudolf Maria Tromp

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/08 ,  C30B29/52 ,  Y10S148/059

摘要： The present invention is a layered structures of substantially-crystalline semiconductor materials and processes for making such structures. More particularly, the invention epitaxial grows a substantially-crystalline layer of a second elemental semiconductor material on a substantially-crystalline first semiconductor material different from the second material in which there is a significant mismatch in at least one dimension between the crystal-lattice structures of the two materials.

摘要翻译： 本发明是一种基本晶体的半导体材料的分层结构和制造这种结构的方法。 更具体地说，本发明外延在第二种材料的基本结晶的第一半导体材料上生长第二元素半导体材料的基本结晶的层，其中在第二材料的晶格结构之间的至少一个维度上存在显着的失配 两种材料。