公开(公告)号：US20100323171A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12768128

申请日：2010-04-27

申请人： Maya Angelova DOYTCHEVA ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

发明人： Maya Angelova DOYTCHEVA ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

IPC分类号： B32B3/10 ,  G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

摘要： A method is described for alignment of a substrate during a double patterning process. A first resist layer containing at least one alignment mark is formed on the substrate. After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited over the first resist layer, leaving a planar top surface (i.e., without topography). By baking the second resist layer appropriately, a symmetric alignment mark is formed in the second resist layer with little or no offset error from the alignment mark in the first resist layer. The symmetry of the alignment mark formed in the second resist can be enhanced by appropriate adjustments of the respective thicknesses of the first and second resist layers, the coating process parameters, and the baking process parameters.

摘要翻译： 描述了在双重图案化工艺期间对准衬底的方法。 在基板上形成包含至少一个对准标记的第一抗蚀剂层。 在第一抗蚀剂层显影之后，在第一抗蚀剂层上沉积第二抗蚀剂层，留下平坦的顶表面（即，没有形貌）。 通过适当地烘烤第二抗蚀剂层，在第二抗蚀剂层中形成与第一抗蚀剂层中的对准标记几乎没有或没有偏移误差的对称对准标记。 可以通过适当调整第一和第二抗蚀剂层的相应厚度，涂覆工艺参数和烘焙工艺参数来增强形成在第二抗蚀剂中的对准标记的对称性。