公开(公告)号：US07642102B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11668572

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01B11/0616 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70691

摘要： The invention can provide a method of processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer thickness data to create, modify, and/or use measurement recipe data, measurement profile data, and/or measurement model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer thickness data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）程序来处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息， 或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片厚度数据来创建，修改和/或使用测量配方数据，测量简档数据和/或测量模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片厚度数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。

公开(公告)号：US20080183312A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668537

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： G05B13/02

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/45212 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/86

摘要： The invention can provide a method of etch processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer data to create, modify, and/or use etch recipe data, etch profile data, and/or etch model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）过程来蚀刻处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息 ，或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片数据来创建，修改和/或使用蚀刻配方数据，蚀刻轮廓数据和/或蚀刻模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。

公开(公告)号：US07801635B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11668537

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/45212 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/86

摘要： The invention can provide a method of etch processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer data to create, modify, and/or use etch recipe data, etch profile data, and/or etch model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）过程来蚀刻处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息 ，或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片数据来创建，修改和/或使用蚀刻配方数据，蚀刻轮廓数据和/或蚀刻模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。

公开(公告)号：US07571074B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11668690

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： G01B11/02 ,  G06F17/40

CPC分类号： G01B11/0616 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70691

摘要： A method for facilitating an ODP (optical digital profile) measurement of a semiconductor wafer. The method includes obtaining real time wafer characteristic data for a measurement site on the wafer and detecting a measured diffraction signal from a structure within the measurement site of the wafer. The measured diffraction signal is matched with a simulated diffraction signal stored in a wafer characteristic dependent profile library. A hypothetical profile structure associated with the simulated diffraction signal in the wafer characteristic dependent profile library is then identified. The real time wafer characteristic data is used to facilitate at least one of the matching and identifying. The real time wafer characteristic data may be real time wafer thickness data.

摘要翻译： 一种用于促进半导体晶片的ODP（光学数字图形）测量的方法。 该方法包括获得晶片上的测量位置的实时晶片特性数据，并从晶片的测量位置内的结构检测测得的衍射信号。 测量的衍射信号与存储在晶片特征依赖型谱库中的模拟衍射信号相匹配。 然后识别与晶片特性相关型材库中的模拟衍射信号相关联的假设轮廓结构。 实时晶片特征数据用于促进匹配和识别中的至少一个。 实时晶片特性数据可以是实时晶片厚度数据。

公开(公告)号：US20080183412A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668572

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G01B11/0616 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70691

摘要： The invention can provide a method of processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer thickness data to create, modify, and/or use measurement recipe data, measurement profile data, and/or measurement model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer thickness data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）程序来处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息， 或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片厚度数据来创建，修改和/或使用测量配方数据，测量简档数据和/或测量模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片厚度数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。

公开(公告)号：US20080183411A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668690

申请日：2007-01-30

申请人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

发明人： Merritt Funk ,  Sachin Deshpande ,  Kevin Lally

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G01B11/0616 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70691

摘要： A method for facilitating an ODP measurement of a semiconductor wafer. The method includes obtaining real time wafer characteristic data for a measurement site on said wafer and detecting a measured diffraction signal from a structure within the measurement site of the wafer. The measured diffraction signal is matched with a simulated diffraction signal stored in a wafer characteristic dependent profile library. A hypothetical profile structure associated with the simulated diffraction signal in the wafer characteristic dependent profile library is then identified. The real time wafer characteristic data is used to facilitate at least one of the matching and identifying. The real time wafer characteristic data may be real time wafer thickness data.

摘要翻译： 一种用于促进半导体晶片的ODP测量的方法。 该方法包括获得在所述晶片上的测量位置的实时晶片特征数据，并且从晶片的测量位置内的结构检测测量的衍射信号。 测量的衍射信号与存储在晶片特征依赖型谱库中的模拟衍射信号相匹配。 然后识别与晶片特性相关型材库中的模拟衍射信号相关联的假设轮廓结构。 实时晶片特征数据用于促进匹配和识别中的至少一个。 实时晶片特性数据可以是实时晶片厚度数据。

公开(公告)号：US20080183413A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668654

申请日：2007-01-30

申请人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

发明人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70691

摘要： A method for facilitating an ODP measurement of a semiconductor wafer. The method includes obtaining real time wafer characteristic data for a measurement site on said wafer and detecting a measured diffraction signal from a structure within the measurement site of the wafer. The measured diffraction signal is matched with a simulated diffraction signal stored in a wafer characteristic dependent profile library. A hypothetical profile structure associated with the simulated diffraction signal in the wafer characteristic dependent profile library is then identified. The real time wafer characteristic data is used to facilitate at least one of the matching and identifying.

摘要翻译： 一种用于促进半导体晶片的ODP测量的方法。 该方法包括获得在所述晶片上的测量位置的实时晶片特征数据，并且从晶片的测量位置内的结构检测测量的衍射信号。 测量的衍射信号与存储在晶片特征依赖型谱库中的模拟衍射信号相匹配。 然后识别与晶片特性相关型材库中的模拟衍射信号相关联的假设轮廓结构。 实时晶片特征数据用于促进匹配和识别中的至少一个。

公开(公告)号：US20080182343A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11668553

申请日：2007-01-30

申请人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

发明人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01B11/02

CPC分类号： G01B11/06

摘要： The invention can provide a method of processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use measurement recipe data, measurement profile data, and/or measurement model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）程序来处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息， 或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片温度数据来创建，修改和/或使用测量配方数据，测量简档数据和/或测量模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片温度数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。

公开(公告)号：US07451054B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11668654

申请日：2007-01-30

申请人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

发明人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70691

摘要： A method for facilitating an ODP measurement of a semiconductor wafer. The method includes obtaining real time wafer characteristic data for a measurement site on said wafer and detecting a measured diffraction signal from a structure within the measurement site of the wafer. The measured diffraction signal is matched with a simulated diffraction signal stored in a wafer characteristic dependent profile library. A hypothetical profile structure associated with the simulated diffraction signal in the wafer characteristic dependent profile library is then identified. The real time wafer characteristic data is used to facilitate at least one of the matching and identifying.

摘要翻译： 一种用于促进半导体晶片的ODP测量的方法。 该方法包括获得在所述晶片上的测量位置的实时晶片特征数据，并且从晶片的测量位置内的结构检测测量的衍射信号。 测量的衍射信号与存储在晶片特征依赖型谱库中的模拟衍射信号相匹配。 然后识别与晶片特性相关型材库中的模拟衍射信号相关联的假设轮廓结构。 实时晶片特征数据用于促进匹配和识别中的至少一个。

公开(公告)号：US07517708B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11668553

申请日：2007-01-30

申请人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

发明人： Sachin Deshpande ,  Merritt Funk

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01B11/06

摘要： The invention can provide a method of processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use measurement recipe data, measurement profile data, and/or measurement model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.

摘要翻译： 本发明可以提供使用实时参数调整（RTPT）程序来处理晶片的方法，以接收可以包括直通消息，实时前馈消息或实时优化消息的输入消息， 或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶片温度数据来创建，修改和/或使用测量配方数据，测量简档数据和/或测量模型数据。 此外，RTPT程序可以使用实时晶片温度数据来创建，修改和/或使用过程配方数据，过程配置文件数据和/或过程模型数据。