公开(公告)号：US06309964B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09349845

申请日：1999-07-08

申请人： Ming Hsing Tsai ,  Shaulin Shue

发明人： Ming Hsing Tsai ,  Shaulin Shue

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76867 ,  H01L21/76849

摘要： A method for forming a damascene structure over tungsten plugs using nitridation of said tungsten plugs to provide better oxidation resistance, better adhesion properties and better copper diffusion barrier proerties. The process begins by providing a substrate structure having at least one device layer thereon and having a first dielectric layer overlying the device layer. The dielectric layer has tungsten plugs therein providing a conductive path between the surface of the dielectric layer and the device layer. The tungsten plugs are nitriduzed to form a WNx layer on top of the tungsten plugs. A second dielectric layer is deposited over the WNx layer and the first dielectric layer. The second dielectric layer is patterned to form a trench in the second dielectric layer; whereby the WNx layer is exposed in the trench. A barrier layer is formed in the trench. A metal layer is formed over the barrier layer. The metal layer and the second dielectric layer are planarized to form a damascene structure.

摘要翻译： 一种用于通过所述钨塞的氮化形成钨插塞的镶嵌结构以提供更好的抗氧化性，更好的粘附性和更好的铜扩散阻挡效应的方法。 该过程开始于提供其上具有至少一个器件层的衬底结构，并且具有覆盖器件层的第一介电层。 电介质层具有钨插塞，其中提供介电层的表面和器件层之间的导电路径。 钨丝塞被硝化以在钨丝塞顶部形成WNx层。 在WNx层和第一介电层上沉积第二介电层。 图案化第二电介质层以在第二电介质层中形成沟槽; 由此WNx层暴露在沟槽中。 在沟槽中形成阻挡层。 在阻挡层上形成金属层。 金属层和第二介电层被平坦化以形成镶嵌结构。

公开(公告)号：US07169700B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10913759

申请日：2004-08-06

申请人： Chung Liang Chang ,  Ming Hsing Tsai ,  Winston Sue

发明人： Chung Liang Chang ,  Ming Hsing Tsai ,  Winston Sue

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76877 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885

摘要： A metal filled damascene structure with improved electromigration resistance and method for forming the same, the method including providing a semiconductor process wafer comprising damascene openings; and, depositing metal and at least one metal dopant according to an ECD process to from a metal filled damascene comprising a doped metal alloy portion.

摘要翻译： 一种具有改进的电迁移电阻的金属填充镶嵌结构及其形成方法，所述方法包括提供包括镶嵌开口的半导体工艺晶片; 以及根据ECD工艺将金属和至少一种金属掺杂剂沉积到包含掺杂金属合金部分的金属填充镶嵌件中。