公开(公告)号：US5877095A

公开(公告)日：1999-03-02

申请号：US698841

申请日：1996-08-16

申请人： Muneo Tamura ,  Takeshi Yamauchi ,  Katuhide Niwa ,  Takeshi Fukazawa ,  Akira Kuroyanagi

发明人： Muneo Tamura ,  Takeshi Yamauchi ,  Katuhide Niwa ,  Takeshi Fukazawa ,  Akira Kuroyanagi

IPC分类号： H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L23/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/306

CPC分类号： C23C16/347 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor element. A silicon nitride film covers the semiconductor element. The silicon nitride film is made of Si.sub.X N.sub.Y H.sub.Z, where X, Y, and Z denote atomic fractions of Si, N, and H resptively. The silicon nitride film relates to an optical absorption edge wavelength shorter than 254 nm. A mean area of regions surrounded by crystal-like grain boundaries at a surface of the silicon nitride film is equal to 4.5.times.10.sup.4 nm.sup.2 or more. The semiconductor element may include a memory element from which information can be erased by exposure to ultraviolet rays.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体元件。 氮化硅膜覆盖半导体元件。 氮化硅膜由SiXNYHZ制成，其中X，Y和Z表示Si，N和H的原子级分。 氮化硅膜涉及短于254nm的光吸收边缘波长。 在氮化硅膜表面的晶状晶界包围的区域的平均面积为4.5×10 4 nm 2以上。 半导体元件可以包括可通过暴露于紫外线而从其中擦除信息的存储元件。

公开(公告)号：US5592004A

公开(公告)日：1997-01-07

申请号：US534976

申请日：1995-09-28

申请人： Muneo Tamura ,  Takeshi Yamauchi ,  Katuhide Niwa ,  Takeshi Fukazawa ,  Akira Kuroyanagi ,  Tooru Yamaoka

发明人： Muneo Tamura ,  Takeshi Yamauchi ,  Katuhide Niwa ,  Takeshi Fukazawa ,  Akira Kuroyanagi ,  Tooru Yamaoka

IPC分类号： H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L23/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： C23C16/347 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor element. A silicon nitride film covers the semiconductor element. The silicon nitride film is made of Si.sub.X N.sub.Y H.sub.Z, where X, Y, and Z denote atomic fractions of Si, N, and H respectively. The silicon nitride film relates to an optical absorption edge wavelength shorter than 254 nm. A mean area of regions surrounded by crystal-like grain boundaries at a surface of the silicon nitride film is equal to 4.5.times.10.sup.4 nm.sup.2 or more. The semiconductor element may include a memory element from which information can be erased by exposure to ultraviolet rays.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体元件。 氮化硅膜覆盖半导体元件。 氮化硅膜由SiXNYHZ制成，其中X，Y和Z分别表示Si，N和H的原子级分。 氮化硅膜涉及短于254nm的光吸收边缘波长。 在氮化硅膜表面的晶状晶界包围的区域的平均面积为4.5×10 4 nm 2以上。 半导体元件可以包括可通过暴露于紫外线而从其中擦除信息的存储元件。