公开(公告)号：US06656840B2

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US10136455

申请日：2002-04-29

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Joe Feng ,  Christopher S Ngai ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Suketu A Parikh ,  Linh H Thanh

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Joe Feng ,  Christopher S Ngai ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Suketu A Parikh ,  Linh H Thanh

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76838

摘要： A method for forming a microelectronics device is disclosed. In one embodiment, the method includes depositing a conductive structure on a substrate. A first layer comprising silicon and nitrogen is formed on the substrate. A second layer comprising silicon and nitrogen is then formed on the first layer. The nitrogen to silicon ratio in the first layer is greater than the nitrogen to silicon ratio in the second layer.

摘要翻译： 公开了一种用于形成微电子器件的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积导电结构。 在衬底上形成包含硅和氮的第一层。 然后在第一层上形成包含硅和氮的第二层。 第一层中的氮与硅之比大于第二层中的氮与硅之比。