公开(公告)号：US20110104241A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US13000635

申请日：2009-06-22

申请人： Naoto Ohtake ,  Yuuki Koide

发明人： Naoto Ohtake ,  Yuuki Koide

IPC分类号： A61K9/70 ,  A61K31/70 ,  A61K9/00

CPC分类号： A61K9/7053 ,  A61K9/0014 ,  A61K9/7061 ,  A61K9/7069 ,  A61K47/14 ,  A61K47/20 ,  A61K47/26

摘要： Provided are a percutaneous absorption enhancer excellent in an enhancing effect on percutaneous absorption of a wide range of drugs and excellent in compatibility with an adhesive base, and a transdermal preparation using the percutaneous absorption enhancer. The percutaneous absorption enhancer includes a sulfosuccinate or a salt thereof and an alkyl glycoside or an alkyl thioglycoside.

摘要翻译： 提供了对广泛的药物的经皮吸收增强效果优异的经皮吸收增强剂和与粘合剂基质的相溶性优异的透皮吸收增强剂，以及使用经皮吸收促进剂的透皮制剂。 经皮吸收增强剂包括磺基琥珀酸盐或其盐和烷基糖苷或烷基硫代糖苷。

公开(公告)号：US08771724B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13000635

申请日：2009-06-22

申请人： Naoto Ohtake ,  Yuuki Koide

发明人： Naoto Ohtake ,  Yuuki Koide

IPC分类号： A61K9/70

CPC分类号： A61K9/7053 ,  A61K9/0014 ,  A61K9/7061 ,  A61K9/7069 ,  A61K47/14 ,  A61K47/20 ,  A61K47/26

摘要： Provided are a percutaneous absorption enhancer excellent in an enhancing effect on percutaneous absorption of a wide range of drugs and excellent in compatibility with an adhesive base, and a transdermal preparation using the percutaneous absorption enhancer. The percutaneous absorption enhancer includes a sulfosuccinate or a salt thereof and an alkyl glycoside or an alkyl thioglycoside.

摘要翻译： 提供了对广泛的药物的经皮吸收增强效果优异的经皮吸收增强剂和与粘合剂基质的相溶性优异的透皮吸收增强剂，以及使用经皮吸收促进剂的透皮制剂。 经皮吸收增强剂包括磺基琥珀酸盐或其盐和烷基糖苷或烷基硫代糖苷。

公开(公告)号：US5780328A

公开(公告)日：1998-07-14

申请号：US835197

申请日：1997-04-07

申请人： Kazushi Fukuda ,  Yasuko Yoshida ,  Yutaka Hoshino ,  Naotaka Hashimoto ,  Kyoichiro Asayama ,  Yuuki Koide ,  Keiichi Yoshizumi ,  Eri Okamoto ,  Satoru Haga ,  Shuji Ikeda

发明人： Kazushi Fukuda ,  Yasuko Yoshida ,  Yutaka Hoshino ,  Naotaka Hashimoto ,  Kyoichiro Asayama ,  Yuuki Koide ,  Keiichi Yoshizumi ,  Eri Okamoto ,  Satoru Haga ,  Shuji Ikeda

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： When the source and drain regions (an n.sup.- type semiconductor region and an n.sup.+ type semiconductor region) of a complementary MISFET and a p-type semiconductor region for use as a punch-through stopper are formed in a p-type well in a substrate having a p- and an n-type well, p-type impurities for the punch-through stopper are suppressed from being supplied to the feeding portion (an n.sup.+ type semiconductor region) of the n-type well.

摘要翻译： 当在衬底中的p型阱中形成用作穿通阻挡层的互补MISFET和p型半导体区域的源区和漏区（n型半导体区和n +型半导体区） 具有p型和n型阱时，抑制了穿通止动件的p型杂质被供给到n型阱的馈电部（n +型半导体区）。