公开(公告)号：US20100197043A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12363404

申请日：2009-01-30

申请人： Nicholas D. RIZZO ,  Kenneth H. SMITH ,  Sanjeev AGGARWAL ,  Anthony CIANCIO ,  Brian R. BUTCHER ,  Kelly Wayne KYLER

发明人： Nicholas D. RIZZO ,  Kenneth H. SMITH ,  Sanjeev AGGARWAL ,  Anthony CIANCIO ,  Brian R. BUTCHER ,  Kelly Wayne KYLER

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/978 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a magnetoelectronic device includes forming a dielectric material (114) surrounding a magnetic bit (112), etching the dielectric material (114) to define an opening (122) over the magnetic bit (112) without exposing the magnetic bit (112), the opening (122) having a sidewall, depositing a blanket layer (132) of cladding material over the dielectric material (118), including over the sidewall, removing by a sputtering process the blanket layer (132) in the bottom of the opening (122) and the dielectric material (124) over the magnetic bit (112), and forming a conductive material (146) within the opening (122) to form a bit line (154). This process reduces errors caused by process irregularities such as edges of the bits (112) protruding and thereby causing defects in the cladding layer (132) formed thereover. A bit line or digit line so formed may optionally be tapered at the ends (182, 184) to prevent magnetic reversal of the bit line magnetic moment that otherwise may occur due to external magnetic fields.

摘要翻译： 一种形成磁电子器件的方法包括形成围绕磁头（112）的电介质材料（114），蚀刻电介质材料（114）以在磁头（112）上方限定开口（122），而不暴露磁头 112），所述开口（122）具有侧壁，在所述电介质材料（118）上沉积包覆材料的覆盖层（132），包括在所述侧壁上方，通过溅射工艺去除所述绝缘层 所述开口（122）和所述电介质材料（124）在所述磁头（112）上方，并且在所述开口（122）内形成导电材料（146）以形成位线（154）。 该过程减少了诸如位（112）的边缘突出的过程不规则性引起的错误，从而在其上形成的包层（132）中产生缺陷。 如此形成的位线或数字线可以可选地在端部（182,184）处是锥形的，以防止由于外部磁场而可能发生的位线磁矩的磁性反转。

公开(公告)号：US20110244599A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12751927

申请日：2010-03-31

申请人： Renu WHIG ,  Phillip MATHER ,  Kenneth SMITH ,  Sanjeev AGGARWAL ,  Jon SLAUGHTER ,  Nicholas RIZZO

发明人： Renu WHIG ,  Phillip MATHER ,  Kenneth SMITH ,  Sanjeev AGGARWAL ,  Jon SLAUGHTER ,  Nicholas RIZZO

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： A semiconductor process integrates three bridge circuits, each include magnetoresistive sensors coupled as a Wheatstone bridge on a single chip to sense a magnetic field in three orthogonal directions. The process includes various deposition and etch steps forming the magnetoresistive sensors and a plurality of flux guides on one of the three bridge circuits for transferring a “Z” axis magnetic field onto sensors orientated in the XY plane.

摘要翻译： 半导体工艺集成了三个桥接电路，每个电路包括在单个芯片上作为惠斯登电桥耦合的磁阻传感器，以在三个正交方向上感测磁场。 该过程包括形成磁阻传感器的各种沉积和蚀刻步骤以及在三个桥接电路中的一个上的多个通量引导器，用于将“Z”轴磁场传送到在XY平面中定向的传感器上。

公开(公告)号：US20120086482A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12900163

申请日：2010-10-07

申请人： Sanjeev MAHESHWARI ,  Emerson FANG ,  Sanjeev AGGARWAL

发明人： Sanjeev MAHESHWARI ,  Emerson FANG ,  Sanjeev AGGARWAL

IPC分类号： H03L7/08 ,  H03L5/00

CPC分类号： H03L7/0998

摘要： Apparatus and methods are provided for oscillators having adjustable gain. An exemplary oscillator module comprises a first node for a first voltage, a control node for a control signal, and oscillator circuitry coupled to the first node and the control node. The oscillator circuitry generates an output signal with a first oscillation frequency based on the first voltage, and in response to the control signal being asserted, the oscillator circuitry generates the output signal with a second oscillation frequency based on the first voltage. The second oscillation frequency is greater than the first oscillation frequency.

摘要翻译： 提供了具有可调增益的振荡器的装置和方法。 示例性振荡器模块包括用于第一电压的第一节点，用于控制信号的控制节点和耦合到第一节点和控制节点的振荡器电路。 振荡器电路基于第一电压产生具有第一振荡频率的输出信号，并且响应于控制信号被断言，振荡器电路基于第一电压产生具有第二振荡频率的输出信号。 第二振荡频率大于第一振荡频率。