公开(公告)号：US20070172591A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11625016

申请日：2007-01-19

申请人： O-gweon SEO ,  Jungyol JO

发明人： O-gweon SEO ,  Jungyol JO

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D7/00

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/407 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a method of fabricating a low temperature ZnO polycrystalline film and a thin film transistor (TFT) adopting the low temperature ZnO polycrystalline film. The method includes growing ZnO on a substrate at a first temperature for a first time using Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) to form a ZnO buffer layer, and heating the substrate at a temperature lower than the first temperature to grow ZnO on the ZnO buffer layer for a second time longer than the first time so as to form a ZnO film.

摘要翻译： 提供一种制造低温ZnO多晶膜和采用低温ZnO多晶膜的薄膜晶体管（TFT）的方法。 该方法包括使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在第一温度下在衬底上生长ZnO以形成ZnO缓冲层，并在低于第一温度的温度下加热衬底以在ZnO上生长ZnO 缓冲层比第一次长第二次以形成ZnO膜。