公开(公告)号：USD373583S

公开(公告)日：1996-09-10

申请号：US38717

申请日：1995-05-10

申请人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama ,  Kunihiro Ohki

设计人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama ,  Kunihiro Ohki

公开(公告)号：USD371552S

公开(公告)日：1996-07-09

申请号：US38715

申请日：1995-05-10

申请人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazuo Tsujimoto ,  Kazumi Osaka ,  Keiichi Koyama

设计人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazuo Tsujimoto ,  Kazumi Osaka ,  Keiichi Koyama

公开(公告)号：USD369596S

公开(公告)日：1996-05-07

申请号：US38716

申请日：1995-05-10

申请人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazuo Tsujimoto ,  Kazumi Osaka ,  Keiichi Koyama

设计人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazuo Tsujimoto ,  Kazumi Osaka ,  Keiichi Koyama

公开(公告)号：USD357245S

公开(公告)日：1995-04-11

申请号：US21035

申请日：1994-04-06

申请人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama

设计人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama

公开(公告)号：USD351156S

公开(公告)日：1994-10-04

申请号：US12211

申请日：1993-07-08

申请人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama

设计人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Keiichi Koyama

公开(公告)号：USD372026S

公开(公告)日：1996-07-23

申请号：US38718

申请日：1995-05-10

申请人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazumi Osaka ,  Yutaka Ito

设计人： Osamu Akiyama ,  Yoshito Fujii ,  Kazumi Osaka ,  Yutaka Ito

公开(公告)号：USD680087S1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US29410027

申请日：2012-01-03

申请人： Yoshito Fujii ,  Katsuhiro Iida ,  Tohru Ohtani ,  Hiroshi Gomi

设计人： Yoshito Fujii ,  Katsuhiro Iida ,  Tohru Ohtani ,  Hiroshi Gomi

公开(公告)号：US08304908B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12382624

申请日：2009-03-19

申请人： Junichi Koike ,  Yoshito Fujii ,  Jun Iijima ,  Noriyoshi Shimizu ,  Kazuyoshi Maekawa ,  Koji Arita ,  Ryotaro Yagi ,  Masaki Yoshimaru

发明人： Junichi Koike ,  Yoshito Fujii ,  Jun Iijima ,  Noriyoshi Shimizu ,  Kazuyoshi Maekawa ,  Koji Arita ,  Ryotaro Yagi ,  Masaki Yoshimaru

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L27/10 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L21/76853 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multilevel interconnect structure in a semiconductor device includes a first insulating layer formed on a semiconductor wafer, a Cu interconnect layer formed on the first insulating layer, a second insulating layer formed on the Cu interconnect layer, and a metal oxide layer formed at an interface between the Cu interconnect layer and the second insulating layer. The metal oxide layer is formed by immersion-plating a metal, such as Sn or Zn, on the Cu interconnect layer and then heat-treating the plated layer in an oxidizing atmosphere.

摘要翻译： 半导体器件中的多层互连结构包括形成在半导体晶片上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的Cu互连层，形成在Cu互连层上的第二绝缘层和形成在界面处的金属氧化物层 在Cu互连层和第二绝缘层之间。 金属氧化物层通过在Cu互连层上浸渍诸如Sn或Zn的金属，然后在氧化气氛中对镀层进行热处理而形成。

公开(公告)号：USD552050S1

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US29261811

申请日：2006-06-21

申请人： Yoshito Fujii ,  Tohru Ohtani ,  Hiroshi Gomi

设计人： Yoshito Fujii ,  Tohru Ohtani ,  Hiroshi Gomi

公开(公告)号：USD351157S

公开(公告)日：1994-10-04

申请号：US16404

申请日：1993-12-16

申请人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Yasushi Fukuda

设计人： Seiji Usami ,  Yoshito Fujii ,  Yasushi Fukuda