公开(公告)号：US20150111119A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：US14509361

申请日：2014-10-08

申请人： Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.

发明人： SATORU TAMURA ,  KAZUHITO HATO ,  TAKAIKI NOMURA ,  TAKAHIRO SUZUKI ,  YOSHIHIRO KOZAWA ,  RYOSUKE KIKUCHI

IPC分类号： C25B1/00 ,  C25B11/04 ,  H01M8/06 ,  C25B1/04

CPC分类号： C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B11/0452 ,  C25B11/0478 ,  H01M8/04201 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/368 ,  Y02P20/135

摘要： Provided is a semiconductor photoelectrode comprising a first conductive layer; a first n-type semiconductor layer disposed on the first conductive layer; and a second conductive layer covering the first n-type semiconductor layer. The first n-type semiconductor layer has a first n-type surface region and a second n-type surface region. The first n-type surface region is in contact with the first conductive layer. The second n-type surface region is in contact with the second conductive layer. The first n-type semiconductor layer is formed of at least one selected from the group consisting of a nitride semiconductor and an oxynitride semiconductor. The second conductive layer is light-transmissive. The second conductive layer is formed of a p-type oxide conductor.

摘要翻译： 提供了包括第一导电层的半导体光电极; 设置在所述第一导电层上的第一n型半导体层; 以及覆盖所述第一n型半导体层的第二导电层。 第一n型半导体层具有第一n型表面区域和第二n型表面区域。 第一n型表面区域与第一导电层接触。 第二n型表面区域与第二导电层接触。 第一n型半导体层由选自氮化物半导体和氧氮化物半导体的至少一种形成。 第二导电层是透光的。 第二导电层由p型氧化物导体形成。