公开(公告)号：US20120025139A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13187644

申请日：2011-07-21

申请人： Peter Neil TAYLOR ,  Jonathan HEFFERNAN ,  Stewart Edward HOOPER ,  Tim Michael SMEETON

发明人： Peter Neil TAYLOR ,  Jonathan HEFFERNAN ,  Stewart Edward HOOPER ,  Tim Michael SMEETON

IPC分类号： C09K11/54 ,  C01B21/00

CPC分类号： C09K11/623 ,  C09K11/625 ,  C09K11/642 ,  H01L31/032

摘要： The present application provides a new composition of matter in the form of a new compound semiconductor family of the type group Zn-(II)-III-N, where III denotes one or more elements in Group III of the periodic table and (II) denotes one or more optional further elements in Group II of the periodic table. Members of this family include for example, ZnGaN, ZnInN, ZnInGaN, ZnAlN, ZnAlGaN, ZnAlInN or ZnAlGaInN. This type of compound semiconductor material is not previously known in the prior art.The composition of the new Zn-(II)-III-N compound semiconductor material can be controlled in order to tailor its band-gap and light emission properties. Efficient light emission in the ultraviolet-visible-infrared wavelength range is demonstrated.The products of this invention are useful as constituents of optoelectronic devices such as solar cells, light emitting diodes, laser diodes and as a light emitting phosphor material for LEDs and emissive EL displays.

摘要翻译： 本申请提供了新型的Zn-（II）-III-N型化合物半导体族的物质组成，其中III表示周期表第III族中的一种或多种元素，（II） 表示周期表第II族中的一个或多个任选的另外的元素。 该族的成员包括例如ZnGaN，ZnInN，ZnInGaN，ZnAlN，ZnAlGaN，ZnAlInN或ZnAlGaInN。 这种类型的化合物半导体材料在现有技术中不是先前已知的。 可以控制新的Zn-（II）-III-N化合物半导体材料的组成以便调整其带隙和发光性能。 证明了紫外 - 可见红外波长范围内的高效发光。 本发明的产品可用作诸如太阳能电池，发光二极管，激光二极管以及用作LED和发光EL显示器的发光磷光体材料的光电器件的组成。

公开(公告)号：US20090242260A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12413660

申请日：2009-03-30

申请人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen DAY ,  Christian LANG ,  Jonathan HEFFERNAN

发明人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen DAY ,  Christian LANG ,  Jonathan HEFFERNAN

IPC分类号： H05K1/11 ,  B32B37/00

CPC分类号： H05K1/11 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H05K3/303 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a device structure, comprises: forming an insulating layer (3b) over a first set of devices disposed over a substrate (3); forming one or more vias in the insulating layer; disposing a second set of devices (6) over the insulating layer, wherein devices of the second set comprise respective electrical contacts (6a) and are disposed over the insulating layer (3b) such that a side on which a contact (6a) can be accessed faces the substrate (3); and forming one or more electrical contacts between the first set of devices and the second set of devices (6) through the via(s). The second set of devices and at least one via are positioned such that one or more of the vias lies at least partially within the footprint of two devices, each belonging to a different device layer.

摘要翻译： 一种制造器件结构的方法，包括：在设置在衬底（3）之上的第一组器件上形成绝缘层（3b）; 在绝缘层中形成一个或多个通孔; 在所述绝缘层上设置第二组器件（6），其中所述第二组器件的器件包括相应的电触点（6a）并且设置在所述绝缘层（3b）上方，使得接触件（6a）可以在其上 被访问面对基板（3）; 以及通过所述通孔在所述第一组装置和所述第二组装置（6）之间形成一个或多个电触点。 第二组装置和至少一个通孔被定位成使得一个或多个通孔至少部分地位于两个装置的覆盖区内，每个装置属于不同的装置层。