公开(公告)号：US20080315175A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12139205

申请日：2008-06-13

申请人： Peter Pauzauskie ,  Alexandra Radenovic ,  Eliane Trepagnier ,  Jan Liphardt ,  Peidong Yang

发明人： Peter Pauzauskie ,  Alexandra Radenovic ,  Eliane Trepagnier ,  Jan Liphardt ,  Peidong Yang

IPC分类号： B23K26/20 ,  H01L29/12

CPC分类号： G02B21/32 ,  B82B3/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： Individually trapping, transferring, and assembling high-aspect-ratio semiconductor nanowires into arbitrary structures in a fluid environment. Nanowires with diameters as small as 20 nm and aspect ratios of above 100 can be trapped and transported in three dimensions, enabling the construction of nanowire architectures which may function as active photonic devices. Moreover, nanowire structures can now be assembled in physiological environments. In one aspect, nanowires are positioned to direct light to remote samples, reducing exposure of the overall sample to intense source illumination. A tunable nanowire probe for subwavelength imaging is also described utilizing efficient second harmonic generation (SHG) whose optical frequency conversion allows implementing subwavelength microscopes.

摘要翻译： 在流体环境中将高纵横比半导体纳米线单独捕获，转移和组装成任意结构。 直径小到20nm的纳米线和高于100的纵横比可以在三维中被捕获和传输，从而能够构建可用作有源光子器件的纳米线结构。 此外，纳米线结构现在可以在生理环境中组装。 在一个方面，纳米线被定位成将光引导到远程样品，减少了整个样品暴露于强光源照射。 还描述了用于亚波长成像的可调谐纳米线探针，其利用有效的二次谐波生成（SHG），其光学频率转换允许实现亚波长显微镜。

公开(公告)号：US08003497B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US11480280

申请日：2006-06-29

申请人： Peidong Yang ,  Heonjin Choi ,  Sangkwon Lee ,  Rongrui He ,  Yanfeng Zhang ,  Tevye Kuykendal ,  Peter Pauzauskie

发明人： Peidong Yang ,  Heonjin Choi ,  Sangkwon Lee ,  Rongrui He ,  Yanfeng Zhang ,  Tevye Kuykendal ,  Peter Pauzauskie

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C01B21/0602 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/931 ,  Y10S977/762

摘要： A method for is disclosed for fabricating diluted magnetic semiconductor (DMS) nanowires by providing a catalyst-coated substrate and subjecting at least a portion of the substrate to a semiconductor, and dopant via chloride-based vapor transport to synthesize the nanowires. Using this novel chloride-based chemical vapor transport process, single crystalline diluted magnetic semiconductor nanowires Ga1-xMnxN (x=0.07) were synthesized. The nanowires, which have diameters of ˜10 nm to 100 nm and lengths of up to tens of micrometers, show ferromagnetism with Curie temperature above room temperature, and magnetoresistance up to 250 Kelvin.

摘要翻译： 公开了一种用于通过提供催化剂涂覆的基底并使基底的至少一部分经受半导体制造稀磁半导体（DMS）纳米线的方法，以及通过基于氯化物的蒸汽输运的掺杂剂来合成纳米线。 使用这种新型的基于氯化物的化学气相传输方法，合成了单晶稀释磁半导体纳米线Ga1-xMnxN（x = 0.07）。 具有〜10nm至100nm直径和高达几十微米的直径的纳米线显示出​​高于室温的居里温度的铁磁性，高达250开尔文的磁阻。

公开(公告)号：US20090294908A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US11480280

申请日：2006-06-29

申请人： Peidong Yang ,  Heonjin Choi ,  Sangkwon Lee ,  Rongrui He ,  Yanfeng Zheng ,  Tevye Kuykendal ,  Peter Pauzauskie

发明人： Peidong Yang ,  Heonjin Choi ,  Sangkwon Lee ,  Rongrui He ,  Yanfeng Zheng ,  Tevye Kuykendal ,  Peter Pauzauskie

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： C01B21/0602 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/931 ,  Y10S977/762

摘要： A method for is disclosed for fabricating diluted magnetic semiconductor (DMS) nanowires by providing a catalyst-coated substrate and subjecting at least a portion of the substrate to a semiconductor, and dopant via chloride-based vapor transport to synthesize the nanowires. Using this novel chloride-based chemical vapor transport process, single crystalline diluted magnetic semiconductor nanowires Ga1-xMnxN (x=0.07) were synthesized. The nanowires, which have diameters of ˜10 nm to 100 nm and lengths of up to tens of micrometers, show ferromagnetism with Curie temperature above room temperature, and magnetoresistance up to 250 Kelvin.

摘要翻译： 公开了一种用于通过提供催化剂涂覆的基底并使基底的至少一部分经受半导体制造稀磁半导体（DMS）纳米线的方法，以及通过基于氯化物的蒸汽输运的掺杂剂来合成纳米线。 使用这种新型的基于氯化物的化学气相传输方法，合成了单晶稀释磁半导体纳米线Ga1-xMnxN（x = 0.07）。 具有约10nm至100nm直径和高达几十微米的直径的纳米线显示出​​具有高于室温的居里温度的铁磁性，高达250开尔德的磁致电阻。