公开(公告)号：US20050021993A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10497264

申请日：2002-11-28

申请人： Petra De Jongh ,  Edwin Roks ,  Robertus Wolters ,  Hermanus Peek

发明人： Petra De Jongh ,  Edwin Roks ,  Robertus Wolters ,  Hermanus Peek

IPC分类号： G06K19/10 ,  G06K7/08 ,  G06K19/073 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  H01L27/04 ,  G06F11/30 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L23/576 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07372 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： The semiconductor device (11) of the invention comprises a circuit that is covered by a passivation structure. It is provided with a first security element (12) that comprises a local area of the passivation structure and which has a first impedance. Preferably, a plurality of security elements (12) is present, whose the impedances differ. The semiconductor device (11) further comprises measuring means (4) for measuring an actual value of the first impedance, and a memory (7) comprising a first memory element (7A) for storing the actual value as a first reference value in the first memory element (7A). The semiconductor device (11) of the invention can be initialized by a method wherein the actual value is stored as the first reference value. Its authenticity can be checked by comparison of the actual value again measured and the first reference value.

摘要翻译： 本发明的半导体器件（11）包括被钝化结构覆盖的电路。 它设置有包括钝化结构的局部区域并且具有第一阻抗的第一安全元件（12）。 优选地，存在多个安全元件（12），其阻抗不同。 半导体器件（11）还包括用于测量第一阻抗的实际值的测量装置（4），以及包括第一存储元件（7A）的存储器（7），用于将实际值作为第一参考值存储在第一 存储元件（7A）。 本发明的半导体器件（11）可以通过将实际值存储为第一基准值的方法来初始化。 可以通过比较再次测量的实际值和第一个参考值来检查其真实性。

公开(公告)号：US20050051351A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10497257

申请日：2002-11-28

申请人： Petra De Jongh ,  Edwin Roks ,  Robertus Wolters ,  Hermanus Peek

发明人： Petra De Jongh ,  Edwin Roks ,  Robertus Wolters ,  Hermanus Peek

IPC分类号： G06F21/06 ,  G06K17/00 ,  G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  G06K19/10 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H02G3/08

CPC分类号： H01L23/576 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07372 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： The semiconductor device (11) of the invention comprises a circuit covered by a passivation structure (50). It is provided with a first and a second security element (12A, 12B) which comprise local areas of the passivation structure (50), and with a first and a second electrode (14,15). The security elements (12A, 12B) have a first and a second impedance, respectively, which impedances differ. This is realized in that the passivation structure has an effective dielectric constant that varies laterally over the circuit. Actual values of the impedances are measured by measuring means and transferred to an access device by transferring means. The access device comprises or has access to a central database device for storing the impedances. The access device furthermore may compare the actual values with the stored values of the impedances in order to check the authenticity or the identity of the semiconductor device.

摘要翻译： 本发明的半导体器件（11）包括由钝化结构（50）覆盖的电路。 它设置有包括钝化结构（50）的局部区域以及第一和第二电极（14,15）的第一和第二安全元件（12A，12B）。 安全元件（12A，12B）分别具有阻抗不同的第一和第二阻抗。 这实现于钝化结构具有在电路上横向变化的有效介电常数。 通过测量装置测量阻抗的实际值，并通过传送装置传送到接入装置。 访问设备包括或者可以访问用于存储阻抗的中央数据库设备。 接入装置还可以将实际值与阻抗的存储值进行比较，以便检查半导体器件的真实性或身份。