公开(公告)号：US20120146747A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12967160

申请日：2010-12-14

申请人： Po-Yi WU ,  Hsieh-Hung HSIEH ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Tzu-Jin YEH ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

发明人： Po-Yi WU ,  Hsieh-Hung HSIEH ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Tzu-Jin YEH ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

IPC分类号： H03B19/00

CPC分类号： H03B19/00

摘要： A millimeter-wave wideband frequency doubler stage for use in a distributed frequency doubler includes: a differential input pair of transistors, each transistor having respective gate, drain and source terminals, wherein the source terminals are coupled together to a first power supply node and the drain terminals are coupled together at a first node to a second power supply node; first and second pairs of bandpass gate lines coupled to the gate terminals of the transistors; and a pair of bandpass drain lines coupled to the drain terminals of the transistors.

摘要翻译： 用于分布式倍频器的毫米波宽带倍频器级包括：差分输入对晶体管，每个晶体管具有相应的栅极，漏极和源极端子，其中源极端子耦合到第一电源节点，并且 漏极端子在第一节点耦合到第二电源节点; 耦合到晶体管的栅极端子的第一和第二对带通栅极线; 以及耦合到晶体管的漏极端子的一对带通漏极线。

公开(公告)号：US20120032743A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US12968342

申请日：2010-12-15

申请人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

发明人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

IPC分类号： H03G3/30 ,  H03F3/16 ,  H03F1/22

CPC分类号： H03G1/0029 ,  H03F1/223 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/249 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/492

摘要： A low-noise amplifier (“LNA”) includes a first cascode gain stage including a first complementary metal oxide semiconductor (“CMOS”) transistor configured to receive a radio frequency (“RF”) input signal and a second CMOS transistor coupled to an output node. The first inductive gate network is coupled to a gate of the second CMOS transistor for increasing a gain of the first cascode gain stage. The first inductive gate network has a non-zero inductive input impedance and includes at least one passive circuit element.

摘要翻译： 低噪声放大器（“LNA”）包括第一共源共栅增益级，其包括被配置为接收射频（“RF”）输入信号的第一互补金属氧化物半导体（“CMOS”）晶体管和耦合到 输出节点。 第一感应栅极网络耦合到第二CMOS晶体管的栅极，用于增加第一共源共栅增益级的增益。 第一感应栅极网络具有非零电感输入阻抗并且包括至少一个无源电路元件。

公开(公告)号：US20120032742A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US12851705

申请日：2010-08-06

申请人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

发明人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

IPC分类号： H03G3/30 ,  H03F3/16 ,  H03F1/22

CPC分类号： H03G1/0029 ,  H03F1/223 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/249 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/492 ,  H03G3/3052

摘要： A low-noise amplifier (LNA) includes a first cascode gain stage coupled to an input node for increasing an amplitude of an RF input signal. A first variable gain network is coupled to the first cascode gain stage and includes a first inductor for boosting a gain of the first cascode gain stage, a first capacitor coupled to the first inductor for blocking a direct current (DC) voltage, and a first switch coupled to the first inductor and to the first capacitor. The first switch is configured to selectively couple the first inductor to the first cascode gain stage in response to a first control signal.

摘要翻译： 低噪声放大器（LNA）包括耦合到输入节点的第一共源共同增益级，用于增加RF输入信号的幅度。 第一可变增益网络耦合到第一共源共同增益级，并且包括用于升高第一共源共享增益级的增益的第一电感器，耦合到第一电感器以阻止直流（DC）电压的第一电容器，以及第一可变增益网络 开关耦合到第一电感器和第一电容器。 第一开关被配置为响应于第一控制信号选择性地将第一电感器耦合到第一共源共享增益级。

公开(公告)号：US20120019968A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12843082

申请日：2010-07-26

申请人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

发明人： Hsieh-Hung HSIEH ,  Po-Yi WU ,  Ho-Hsiang CHEN ,  Chewn-Pu JOU ,  Fu-Lung HSUEH

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H03F1/52 ,  H01L27/0288 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/441 ,  H03F2200/444

摘要： An ESD protection circuit includes a signal pad, a short circuited shunt stub on-chip with and coupled to the signal pad, an open circuited shunt stub on-chip and coupled to the signal pad.

摘要翻译： ESD保护电路包括信号焊盘，芯片上的短路分流短截线并且耦合到信号焊盘，芯片上的开路分流短截线并耦合到信号焊盘。