公开(公告)号：US20050020072A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10489632

申请日：2001-09-11

申请人： Robert Kachel ,  Gerhard Franz

发明人： Robert Kachel ,  Gerhard Franz

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0331

摘要： A multilayer mask for patterning a platinum (or other) layer formed on a substrate. The multilayer mask includes a first dielectric layer formed on the platinum layer, a bottom resist layer formed over the first dielectric layer, a second dielectric layer formed on the bottom resist layer, and a top (structure) resist layer formed on the second dielectric layer. The second dielectric layer is patterned using the top resist layer, and serves to prevent photoresist rounding. The first dielectric layer prevents “micro-masking” by acting as an etch stop during subsequent patterning of the bottom resist layer, which is performed using dry etching techniques. The first dielectric layer is then wet etched to expose the platinum layer.

摘要翻译： 用于图案化形成在基板上的铂（或其它）层的多层掩模。 多层掩模包括形成在铂层上的第一介质层，形成在第一介电层上的底部抗蚀剂层，形成在底部抗蚀剂层上的第二介电层和形成在第二介电层上的顶部（结构）抗蚀剂层 。 使用顶部抗蚀剂层对第二介电层进行图案化，并且用于防止光致抗蚀剂倒圆。 第一电介质层通过在使用干蚀刻技术进行的底部抗蚀剂层的后续图案化期间用作蚀刻停止来防止“微掩模”。 然后湿法蚀刻第一介电层以露出铂层。