公开(公告)号：US20130015580A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13180842

申请日：2011-07-12

申请人： SAMEER H JAIN ,  Jeffrey B. Johnson ,  Ying Li ,  Hasan M. Nayfeh ,  Ravikumar Ramachandran

发明人： SAMEER H JAIN ,  Jeffrey B. Johnson ,  Ying Li ,  Hasan M. Nayfeh ,  Ravikumar Ramachandran

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843

摘要： A replacement metal gate structure and methods of manufacturing the same is provided. The method includes forming at least one trench structure and forming a liner of high-k dielectric material in the at least one trench structure. The method further includes adjusting a height of the liner of high-k dielectric material. The method further includes forming at least one workfunction metal over the liner, and forming a metal gate structure in the at least one trench structure, over the at least one workfunction metal and the liner of high-k dielectric material.

摘要翻译： 提供替代的金属栅极结构及其制造方法。 所述方法包括形成至少一个沟槽结构并在所述至少一个沟槽结构中形成高k电介质材料的衬垫。 该方法还包括调整高k电介质材料的衬垫的高度。 所述方法还包括在所述衬垫上形成至少一个功函数金属，以及在所述至少一个功函数金属和所述高k电介质材料的衬垫上，在所述至少一个沟槽结构中形成金属栅极结构。