公开(公告)号：US09583633B2

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：US14392369

申请日：2014-02-27

申请人： SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

发明人： Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim ,  Yeon-Hong Kim ,  Jin Hyun Park ,  Shuji Kosaka ,  Kazushi Hayashi

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

摘要： In an oxide for a semiconductor layer of a thin film transistor according to the present invention, wherein metal elements constituting the oxide are In, Zn, and Sn, an oxygen partial pressure is 15% by volume or more when depositing the oxide in the semiconductor layer of the thin film transistor, and a defect density of the oxide satisfies 7.5×1015cm−3 or less, and a mobility satisfies 15 cm2/Vs or more.

摘要翻译： 在本发明的薄膜晶体管用半导体层用氧化物中，构成氧化物的金属元素为In，Zn，Sn，在半导体中沉积氧化物时的氧分压为15体积％以上 薄膜晶体管的层，氧化物的缺陷密度为7.5×10 15 cm -3以下，迁移率为15cm 2 / Vs以上。