公开(公告)号：US20150145072A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14562937

申请日：2014-12-08

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： DONG HYUK KIM ,  HOI SUNG CHUNG ,  MYUNGSUN KIM ,  DONGSUK SHIN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A MOS transistor includes a pair of impurity regions formed in a substrate as spaced apart from each other, and a gate electrode formed on a region of the substrate located between the pair of impurity regions. Each of the impurity regions is formed of a first epitaxial layer, a second epitaxial layer on the first epitaxial layer, and a third epitaxial layer on the second epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed of at least one first sub-epitaxial layer and a respective second sub-epitaxial layer stacked on each first sub-epitaxial layer. An impurity concentration of the first sub-epitaxial layer is less than that of the second sub-epitaxial layer.

摘要翻译： MOS晶体管包括在彼此间隔开的基板中形成的一对杂质区，以及形成在位于该对杂质区之间的基板的区域上的栅电极。 每个杂质区由第一外延层，第一外延层上的第二外延层和第二外延层上的第三外延层形成。 第一外延层由堆叠在每个第一子外延层上的至少一个第一子外延层和相应的第二子外延层形成。 第一子外延层的杂质浓度小于第二子外延层的杂质浓度。