公开(公告)号：US09535620B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US14602464

申请日：2015-01-22

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Kyung-Jin Kim ,  Geun-Soo Kim ,  Jun-Jin Kong

IPC: G06F11/00 ,  G06F3/06 ,  G06F11/07 ,  G11C7/04 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C29/52 ,  G11C29/04

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/076 ,  G11C7/04 ,  G11C16/349 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409

Abstract: A flash memory system includes; a controller that determines at least one parameter related to data reliability based on temperature information and generates a control signal based on the at least one parameter; and a memory device that comprises one or more memory cell arrays and provides the controller with read data corresponding to a read command received from the controller.

Abstract translation: 闪存系统包括： 控制器，其基于温度信息确定与数据可靠性相关的至少一个参数，并且基于所述至少一个参数生成控制信号; 以及包括一个或多个存储单元阵列并且向控制器提供与从控制器接收的读取命令相对应的读取数据的存储器件。