公开(公告)号：US20150056515A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14467284

申请日：2014-08-25

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Ryounghee Kim ,  Seoksoo Lee ,  Dongwook Han ,  Anass BENAYAD ,  Jusik Kim ,  Wonseok Chang

IPC分类号： H01M4/48

CPC分类号： H01M4/483 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M2004/021

摘要： An electrode active material including a vanadium oxide represented by Formula 1, VOx  Formula 1 wherein vanadium in the vanadium oxide has a mixed oxidation state of a plurality of oxidation numbers, and the oxidation numbers include an oxidation number of +3, and wherein, in Formula 1 above, 1.5

摘要翻译： 一种电极活性材料，其包含由式1表示的氧化钒，VOx式1，其中钒氧化物中的钒具有多个氧化数的混合氧化态，氧化数包括氧化数+3，其中，在 上述式1，1.5

公开(公告)号：US20140225106A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：US14177513

申请日：2014-02-11

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Eun-ha LEE ,  Anass BENAYAD ,  Tae-sang KIM ,  Kyoung-seok SON

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film, a method of forming the thin film, a semiconductor device including the thin film, and a method of manufacturing the semiconductor device include forming a thin film including a metal oxynitride, and treating the thin film with inert gas ions so as to stabilize properties of the thin film. The metal oxynitride may include zinc oxynitride (ZnOxNy). The inert gas ions may include at least one of Ar ions and Ne ions. The treating of the thin film with the inert gas ions may be performed by a sputtering process, a plasma treatment process, or the like.

摘要翻译： 薄膜，薄膜形成方法，包括该薄膜的半导体器件及其制造方法包括：形成包含金属氮氧化物的薄膜，并用惰性气体离子处理该薄膜，以便 稳定薄膜的性能。 金属氮氧化物可以包括氮氧化锌（ZnO x N y）。 惰性气体离子可以包括Ar离子和Ne离子中的至少一种。 用惰性气体离子处理薄膜可以通过溅射工艺，等离子体处理工艺等进行。