公开(公告)号：US20170018464A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：US15211200

申请日：2016-07-15

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Sung-Min KIM ,  Ji-Su KANG ,  Byung-Chan RYU ,  Jae-Hyun PARK ,  Yu-Ri LEE ,  Dong-Ho CHA

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/08 ,  H01L29/161 ,  H01L23/532 ,  H01L29/165 ,  H01L27/092 ,  H01L23/535 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7848 ,  H01L2029/7858

Abstract: A semiconductor device includes a first fin-type pattern and a second fin-type pattern which protrude upwardly from an upper surface of a field insulating film and extend in a first direction. A gate structure intersects the first fin-type pattern and the second fin-type pattern. A first epitaxial layer is on the first fin-type pattern on at least one side of the gate structure, and a second epitaxial layer is on the second fin-type pattern on at least one side of the gate structure. A metal contact covers outer circumferential surfaces of the first epitaxial layer and the second epitaxial layer. The first epitaxial layer contacts the second epitaxial layer.

Abstract translation: 半导体器件包括从场绝缘膜的上表面向上突出并沿第一方向延伸的第一鳍式图案和第二鳍片型图案。 栅极结构与第一鳍状图案和第二鳍片图案相交。 第一外延层位于栅极结构的至少一侧的第一鳍式图案上，第二外延层位于栅极结构的至少一侧上的第二鳍型图案上。 金属接触覆盖第一外延层和第二外延层的外圆周表面。 第一外延层接触第二外延层。