公开(公告)号：US20170077248A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：US15254297

申请日：2016-09-01

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Da-Il EOM ,  Jeong-Ik KIM ,  Ja-Hum KU ,  Chul-Sung KIM ,  Jun-Ki PARK ,  Sang-Jin HYUN

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: A semiconductor device includes an active fin partially protruding from an isolation pattern on a substrate, a gate structure on the active fin, a source/drain layer on a portion of the active fin adjacent to the gate structure, a source/drain layer on a portion of the active fin adjacent to the gate structure, a metal silicide pattern on the source/drain layer, and a plug on the metal silicide pattern. The plug includes a second metal pattern, a metal nitride pattern contacting an upper surface of the metal silicide pattern and covering a bottom and a sidewall of the second metal pattern, and a first metal pattern on the metal silicide pattern, the first metal pattern covering an outer sidewall of the metal nitride pattern. A nitrogen concentration of the first metal pattern gradually decreases according to a distance from the outer sidewall of the metal nitride pattern.

Abstract translation: 半导体器件包括从衬底上的隔离图案部分地突出的有源鳍片，有源鳍片上的栅极结构，与栅极结构相邻的有源鳍片的一部分上的源极/漏极层，在栅极结构上的源极/漏极层 与栅极结构相邻的有源鳍的部分，源极/漏极层上的金属硅化物图案以及金属硅化物图案上的插塞。 塞子包括第二金属图案，接触金属硅化物图案的上表面并覆盖第二金属图案的底部和侧壁的金属氮化物图案，以及金属硅化物图案上的第一金属图案，第一金属图案覆盖 金属氮化物图案的外侧壁。 根据与金属氮化物图案的外侧壁的距离，第一金属图案的氮浓度逐渐降低。