公开(公告)号：US20140231958A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14070988

申请日：2013-11-04

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Han-Jin Lim ,  Seok-Woo Nam ,  Jung-Hwan Oh ,  Ki-Vin Im

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/1085

Abstract: A capacitor of a memory device includes dielectric layers with different energy band gaps. The capacitor may include, for example, a first electrode and a first dielectric layer on the first electrode. The capacitor may further include a second dielectric layer on the first dielectric layer. The first and second dielectric layers may include the same dielectric material with different concentration of an impurity therein. A second electrode is disposed on the second dielectric layer.

Abstract translation: 存储器件的电容器包括具有不同能带隙的电介质层。 电容器可以包括例如第一电极和第一电极上的第一电介质层。 电容器还可以包括在第一电介质层上的第二电介质层。 第一和第二电介质层可以包括具有不同浓度的杂质的相同介电材料。 第二电极设置在第二电介质层上。