公开(公告)号：US20130183593A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13723437

申请日：2012-12-21

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Hee-jung PARK ,  Tae-gon KIM ,  Chan KWAK ,  Doh-won JUNG ,  Seung-joo KIM

IPC: H01M4/505 ,  H01M12/06 ,  H01M4/525 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M4/505 ,  C01G45/006 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0036 ,  C01G51/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/76 ,  H01M4/525 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/9025 ,  H01M12/06 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/50 ,  Y02E60/525

Abstract: An oxide represented by Formula 1: A2M1−xCxD2O7+δ  Formula 1 wherein, in Formula 1, x is in the range of 0.4≦x≦1.0; δ is selected such that the oxide electrically neutral; A is at least one metal selected from an alkaline earth metal; M is an alkaline earth metal that differs from A; C is a transition metal; and D is at least one selected from germanium (Ge) and silicon (Si).

Abstract translation: 由式1表示的氧化物：A2M1-xCxD2O7 +δFormula1其中，在式1中，x在0.4 @ x @ 1.0的范围内; 选择三角形使得氧化物电中性; A是选自碱土金属中的至少一种金属; M是与A不同的碱土金属; C是过渡金属; D是选自锗（Ge）和硅（Si）中的至少一种。