公开(公告)号：US08821641B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13606774

申请日：2012-09-07

申请人： Sang Gon Lee ,  Hyeong Soo Park

发明人： Sang Gon Lee ,  Hyeong Soo Park

IPC分类号： B05B1/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC分类号： C23C16/45508 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： Provided is a substrate treatment apparatus. The substrate treatment apparatus includes a process chamber, a support unit disposed within the process chamber to support a substrate, and a nozzle unit disposed within the process chamber to spray gas. The nozzle unit includes a first nozzle spraying process gas, and a second nozzle spraying blocking gas onto an inner wall of the process chamber or an area adjacent to the support unit to prevent the process gas from being deposited on the inner wall of the process chamber or the support unit.

摘要翻译： 提供了一种基板处理装置。 基板处理装置包括处理室，设置在处理室内以支撑基板的支撑单元和设置在处理室内以喷射气体的喷嘴单元。 喷嘴单元包括第一喷嘴喷射工艺气体，以及第二喷嘴将阻挡气体喷射到处理室的内壁或与支撑单元相邻的区域，以防止处理气体沉积在处理室的内壁上 或支撑单元。

公开(公告)号：US20120100292A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13377324

申请日：2010-09-06

申请人： Hyeong Soo Park

发明人： Hyeong Soo Park

IPC分类号： C23C16/455 ,  B67D7/80

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4584

摘要： Provided are a gas injection unit and apparatus and method for depositing a thin layer using the same. The gas injection unit includes: an inner pipe through which a reaction gas is introduced; an outer pipe enclosing the inner pipe, through which a cooling fluid cooling the reaction gas in the inner pipe flows; and injection pipes injecting the reaction gas in the inner pipe to an outside of the outer pipe.

摘要翻译： 提供一种气体注入单元以及使用该气体注入单元沉积薄层的装置和方法。 气体注入单元包括：引入反应气体的内管; 封闭内管的外管，冷却内管内的反应气体的冷却流体流过该外管; 以及喷射管将内管中的反应气体注入外管的外部。