公开(公告)号：US20160268414A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US15000495

申请日：2016-01-19

申请人： Sang-Jine PARK ,  Keun-Hee BAI ,  Kyoung-Hwan YEO ,  Bo-Un YOON ,  Kee-Sang KWON ,  Do-Hyoung KIM ,  Ha-Young JEON ,  Seung-Seok HA

发明人： Sang-Jine PARK ,  Keun-Hee BAI ,  Kyoung-Hwan YEO ,  Bo-Un YOON ,  Kee-Sang KWON ,  Do-Hyoung KIM ,  Ha-Young JEON ,  Seung-Seok HA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/7848

摘要： Semiconductor devices are provided including a first active fin extending in a first direction and a second active fin spaced apart from the first active fin in a second direction perpendicular to the first direction, the second active fin extending in the first direction, the second active fin having a longer side shorter than a length of a longer side of the first active fin. A first dummy gate extends in the second direction overlapping a first end of each of the first and second active fins. A first metal gate extends in the second direction intersecting the first active fin and overlapping a second end of the second active fin. A first insulating gate extends in the second direction intersecting the first active fin. The first insulating gate extends into the first active fin.

摘要翻译： 提供了半导体器件，其包括在垂直于第一方向的第二方向上沿第一方向延伸的第一有源鳍片和与第一有源鳍片间隔开的第二有源鳍片，第二有源鳍片沿第一方向延伸，第二有源鳍片 具有比第一活性翅片的长边的长度短的长边。 第一伪栅极在第二方向上延伸，与第一和第二活性鳍片中的每一个的第一端重叠。 第一金属栅极在与第一有效鳍交叉的第二方向上延伸并与第二活动鳍片的第二端重叠。 第一绝缘栅极在与第一活性鳍相交的第二方向上延伸。 第一绝缘栅延伸到第一活性鳍。