公开(公告)号：US08837228B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13597534

申请日：2012-08-29

申请人： Sang-Wan Nam ,  Won-Teack Jung ,  Junghoon Park

发明人： Sang-Wan Nam ,  Won-Teack Jung ,  Junghoon Park

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/04 ,  H01L27/115 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3445 ,  H01L27/115

摘要： An erase method of a nonvolatile memory includes supplying an erase voltage to a substrate, supplying a selection word line voltage to word lines connected with a selected sub-block within a memory block of the nonvolatile memory, supplying a non-selection word line voltage to word lines connected with an unselected sub-block within the memory block during a first delay time from a point of time when the erase voltage is supplied, and thereafter floating the word lines connected with the unselected sub-block.

摘要翻译： 非易失性存储器的擦除方法包括向衬底提供擦除电压，将选择字线电压提供给与非易失性存储器的存储块内的选定子块相连的字线，将非选择字线电压提供给 在从提供擦除电压的时间点起的第一延迟时间期间，与存储器块内的未选择子块相连的字线，然后浮动与未选择子块相连的字线。