公开(公告)号：US20010038951A1

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：US09272576

申请日：1999-03-19

申请人： Seiji Matsuura

发明人： SEIJI MATSUURA

IPC分类号： G03F009/00 ,  G03C005/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36

摘要： A photomask has an isolated residual pattern formed on it, and a translucent film formed on both sides of this isolated residual pattern, with a space pattern part therebetween, the width of the translucent film being approximately equal to the line width of the isolated residual pattern.

摘要翻译： 光掩模在其上形成有分离的残留图案，并且在隔离的残留图案的两侧形成有半透明膜，其间具有空间图案部分，半透膜的宽度近似等于隔离残留图案的线宽 。