公开(公告)号：US4975387A

公开(公告)日：1990-12-04

申请号：US450963

申请日：1989-12-15

申请人： Sharka M. Prokes ,  Wen F. Tseng ,  Aristos Christou

发明人： Sharka M. Prokes ,  Wen F. Tseng ,  Aristos Christou

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/048 ,  Y10S148/059 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/154

摘要： Epitaxial Si-Ge heterostructures are formed by depositing a layer of amorphous Si-Ge on a silicon wafer. The amorphous Si-Ge on the silicon wafer is then subjected to a wet oxidation in order to form an epitaxial Si-Ge heterostructure. Any size wafer may be used and no special precaustions need be taken to ensure a clean amorphous Si-Ge/Si interface.

摘要翻译： 通过在硅晶片上沉积非晶Si-Ge层形成外延Si-Ge异质结构。 然后对硅晶片上的非晶Si-Ge进行湿式氧化，以形成外延Si-Ge异质结构。 可以使用任何尺寸的晶片，并且不需要采取特殊的预防措施来确保清洁的无定形Si-Ge / Si界面。

公开(公告)号：US4505023A

公开(公告)日：1985-03-19

申请号：US427027

申请日：1982-09-29

申请人： Wen F. Tseng ,  Marvin L. Bark

发明人： Wen F. Tseng ,  Marvin L. Bark

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/66522 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

摘要： A planar compound semiconductor insulated gate field effect transistor and a virtual self-aligned process for making the same. The device includes a semi-insulating InP substrate in which doped source and drain regions separated by a channel region are located. An insulated gate is located on the surface of the substrate over the channel region. The device is fabricated by a virtual or partially self-aligned method wherein the channel region is defined by forming channel alignment insulating layers on the surface of the substrate. Source and drain regions, aligned with the channel alignment layers, are formed in the substrate by ion-implantation. The remainder of the device is formed on the surface of the substrate.

摘要翻译： 平面化合物半导体绝缘栅场效应晶体管和用于制造其的虚拟自对准工艺。 该器件包括半导体InP衬底，其中由沟道区域分隔的掺杂源极和漏极区域位于其中。 绝缘栅极位于通道区域上的衬底的表面上。 该器件通过虚拟或部分自对准方法制造，其中通过在衬底的表面上形成沟道对准绝缘层来限定沟道区。 通过离子注入在衬底中形成与沟道取向层对齐的源区和漏区。 器件的其余部分形成在衬底的表面上。