公开(公告)号：US20060089448A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11235205

申请日：2005-09-27

申请人： Shau Wang ,  En Yang

发明人： Shau Wang ,  En Yang

IPC分类号： C08K3/04

CPC分类号： C08K3/04 ,  C08L23/06 ,  C08L27/12 ,  C08L2666/04

摘要： An over-current protection device of a positive temperature coefficient (PTC) and a conductive polymer thereof are disclosed, which have a superior capability to withstand rigorous environments. The conductive polymer comprises a non-fluorine polyalkene matrix, a conductive filler and a fluorine polymer (e.g., PVDF), wherein the ratio of the fluorine polymer is 1-20% by weight. Laminating a PTC material layer composed of the above-mentioned conductive polymer between a first electrode layer and a second electrode layer forms the over-current protection device of the present invention.

摘要翻译： 公开了一种正温度系数（PTC）及其导电聚合物的过流保护装置，其具有优越的耐受严格环境的能力。 导电聚合物包含非氟聚烯烃基质，导电填料和氟聚合物（例如PVDF），其中氟聚合物的比例为1-20重量％。 在第一电极层和第二电极层之间层叠由上述导电性聚合物构成的PTC材料层构成本发明的过电流保护装置。

公开(公告)号：US08449730B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12505921

申请日：2009-07-20

申请人： En Yang ,  David E. Laughlin ,  Jian-Gang Zhu

发明人： En Yang ,  David E. Laughlin ,  Jian-Gang Zhu

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/32

CPC分类号： G11B5/851 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404

摘要： A process of fabricating a perpendicular magnetic recording medium. In one embodiment, the process may comprise forming a metallic buffer layer with a (002) texture on an underlayer using a deposition process performed at a temperature below 30° C. The underlayer may have a crystalline (001) texture. The process may further comprise forming a perpendicular magnetic recording layer on top of the metallic buffer layer using a deposition process performed at a temperature above 350° C. The magnetic recording layer may comprise a magnetic material with a L10 crystalline structure and with a c-axis perpendicular to a plane of the perpendicular magnetic recording layer. The process may further comprise removing metal of the metallic buffer layer from a top surface of the perpendicular magnetic recording layer that moved to the top surface of the perpendicular magnetic recording layer during the forming of the perpendicular magnetic recording layer.

摘要翻译： 制造垂直磁记录介质的方法。 在一个实施方案中，该方法可以包括使用在低于30℃的温度下进行的沉积工艺在底层上形成具有（002）纹理的金属缓冲层。底层可具有结晶（001）结构。 该方法可以进一步包括使用在高于350℃的温度下进行的沉积工艺在金属缓冲层的顶部上形成垂直磁记录层。磁记录层可以包括具有L10结晶结构和c- 垂直于垂直磁记录层的平面。 该方法可以进一步包括在形成垂直磁记录层期间从垂直磁记录层的顶表面移除金属缓冲层的金属，该顶表面移动到垂直磁记录层的顶表面。

公开(公告)号：US20110011733A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12505921

申请日：2009-07-20

申请人： En Yang ,  David E. Laughlin ,  Jian-Gang Zhu

发明人： En Yang ,  David E. Laughlin ,  Jian-Gang Zhu

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B5/851 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404

摘要： A process of fabricating a perpendicular magnetic recording medium. In one embodiment, the process may comprise forming a metallic buffer layer with a (002) texture on an underlayer using a deposition process performed at a temperature below 30° C. The underlayer may have a crystalline (001) texture. The process may further comprise forming a perpendicular magnetic recording layer on top of the metallic buffer layer using a deposition process performed at a temperature above 350° C. The magnetic recording layer may comprise a magnetic material with a L10 crystalline structure and with a c-axis perpendicular to a plane of the perpendicular magnetic recording layer. The process may further comprise removing metal of the metallic buffer layer from a top surface of the perpendicular magnetic recording layer that moved to the top surface of the perpendicular magnetic recording layer during the forming of the perpendicular magnetic recording layer.

摘要翻译： 制造垂直磁记录介质的方法。 在一个实施方案中，该方法可以包括使用在低于30℃的温度下进行的沉积工艺在底层上形成具有（002）纹理的金属缓冲层。底层可具有结晶（001）结构。 该方法可以进一步包括使用在高于350℃的温度下进行的沉积工艺在金属缓冲层的顶部上形成垂直磁记录层。磁记录层可以包括具有L10结晶结构和c- 垂直于垂直磁记录层的平面。 该方法可以进一步包括在形成垂直磁记录层期间从垂直磁记录层的顶表面移除金属缓冲层的金属，该顶表面移动到垂直磁记录层的顶表面。