公开(公告)号：US4591951A

公开(公告)日：1986-05-27

申请号：US633889

申请日：1984-07-24

申请人： Shigeyoshi Iwamoto ,  Yoshifumi Saeki ,  Takashi Kuribayashi ,  Shinichiro Ishitsuka ,  Nobukuni Ogino

发明人： Shigeyoshi Iwamoto ,  Yoshifumi Saeki ,  Takashi Kuribayashi ,  Shinichiro Ishitsuka ,  Nobukuni Ogino

IPC分类号： H01G9/00 ,  H01G9/012 ,  H05K3/34 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01G9/012 ,  H05K3/3426 ,  H05K2201/10606 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/168 ,  Y02P70/613

摘要： An electronic component contained in a metal case is attached with an insulation mold at a sealing part and lead wires of the electronic component element are passing through holes on the insulator base, and the end parts of the lead wires are bent in recesses on the insulator base, thereby constituting surface mounting type electronic component.

摘要翻译： 包含在金属外壳中的电子部件在密封部分附有绝缘模具，并且电子元件的导线穿过绝缘体基座上的孔，并且引线的端部在绝缘体上的凹部中弯曲 从而构成表面安装型电子部件。

公开(公告)号：US4644446A

公开(公告)日：1987-02-17

申请号：US734273

申请日：1985-05-09

申请人： Junji Nakamura ,  Norikazu Iida ,  Nobukuni Ogino

发明人： Junji Nakamura ,  Norikazu Iida ,  Nobukuni Ogino

IPC分类号： H01G9/00 ,  H01G9/008 ,  H05K3/30 ,  H01G1/14

CPC分类号： H01G9/008 ,  H01G9/00 ,  H05K3/308

摘要： This invention relates to an electrolytic capacitor in which terminal is inserted in and fixed to holes of printed circuit substrate, and by providing a pin to an anode terminal or a cathode terminal which is mounted on a terminal plate in an integral forming, right insertion and fixing on the printed circuit substrate can be made.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP84 / 00441 Sec。 371日期1985年5月9日第 102（e）日期1985年5月9日PCT提交1984年9月11日PCT公布。 第WO85 / 01388号公报 日本特开1985年3月28日。本发明涉及一种电解电容器，其中端子被插入并固定到印刷电路基板的孔中，并且通过将引脚设置在安装在端子板上的阳极端子或阴极端子上 可以在印刷电路基板上形成整体形成，右插入和固定。

公开(公告)号：US4276128A

公开(公告)日：1981-06-30

申请号：US14382

申请日：1979-02-21

申请人： Atsushi Nishino ,  Akihiko Yoshida ,  Nobukuni Ogino

发明人： Atsushi Nishino ,  Akihiko Yoshida ,  Nobukuni Ogino

IPC分类号： G01N27/22 ,  G01R27/26 ,  H01G9/05

CPC分类号： G01N27/225 ,  G01R27/2605 ,  Y10T29/417

摘要： A device comprising a dielectric oxide film formed by anodization of a surface region of a valve metal body, a semiconductive metal oxide layer porously formed on the dielectric oxide film, and a gas permeable electrode layer formed on the semiconductive metal oxide layer with the interposal of a gas permeable carbon layer therebetween. The semiconductive metal oxide layer is formed by pyrolysis of a metal salt solution so as to be, microscopically, only partially in contact with the dielectric oxide film. After forming of the electrode layer, the device is immersed in boiling water and/or kept in a high temperature high humidity atmosphere for an adequate amount of time to stabilize the semiconductive metal oxide layer, resulting in that the semiconductive metal oxide layer has a multiplicity of microscopic crevices and that the device becomes quite stable in the relation between humidity and electrostatic capacitance of the device.

摘要翻译： 一种包括通过阳极氧化阀金属体的表面区域形成的电介质氧化膜的装置，在电介质氧化膜上形成的半导体金属氧化物层，以及形成在半导体金属氧化物层上的透气电极层， 它们之间的透气性碳层。 半导体金属氧化物层是通过金属盐溶液的热解形成的，以便在显微镜下仅部分地与电介质氧化膜接触。 在形成电极层之后，将装置浸入沸水中和/或在高温高湿气氛中保持足够的时间以稳定半导体金属氧化物层，导致半导体金属氧化物层具有多重性 的微观裂缝，并且器件在器件的湿度和静电电容之间的关系变得相当稳定。