公开(公告)号：US20110256715A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12761805

申请日：2010-04-16

申请人： Shing-Chyang PAN ,  Han-Hsin KUO ,  Chung-Chi KO ,  Ching-Hua HSIEH

发明人： Shing-Chyang PAN ,  Han-Hsin KUO ,  Chung-Chi KO ,  Ching-Hua HSIEH

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C14/06 ,  B05D7/22

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

摘要： A copper interconnect includes a copper layer formed in a dielectric layer. A liner is formed between the copper layer and the dielectric layer. A barrier layer is formed at the boundary between the liner and the dielectric layer. The barrier layer is a metal oxide.

摘要翻译： 铜互连包括在电介质层中形成的铜层。 在铜层和电介质层之间形成衬垫。 在衬垫和电介质层之间的边界处形成阻挡层。 阻挡层是金属氧化物。