公开(公告)号：US20110248236A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12954127

申请日：2010-11-24

申请人： Sook-Joo KIM ,  Min-Gyu Sung ,  Deok-Sin Kil

发明人： Sook-Joo KIM ,  Min-Gyu Sung ,  Deok-Sin Kil

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641

摘要： A semiconductor device includes a lower electrode, a variable resistance layer disposed over the lower electrode, the variable resistance layer is included a reactive metal layer being interposed between a plurality of oxide resistive layers and an upper electrode disposed over the variable resistance layer.

摘要翻译： 半导体器件包括下电极，设置在下电极上的可变电阻层，可变电阻层包括介于多个氧化物电阻层之间的反应性金属层和设置在可变电阻层上的上电极。

公开(公告)号：US20130299763A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13619918

申请日：2012-09-14

申请人： Ji-Won MOON ,  Sung-Hoon LEE ,  Sook-Joo KIM

发明人： Ji-Won MOON ,  Sung-Hoon LEE ,  Sook-Joo KIM

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A variable resistance memory device that includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer interposed between the first electrode and a second electrode. A metal oxide electrode is interposed between the first electrode and the variable resistance layer, and the metal oxide electrode does not include a nitrogen constituent.

摘要翻译： 一种可变电阻存储器件，包括第一电极，第二电极，插在第一电极和第二电极之间的可变电阻层。 金属氧化物电极介于第一电极和可变电阻层之间，金属氧化物电极不包括氮成分。