公开(公告)号：US20150158737A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14405156

申请日：2012-10-18

申请人： Soon Mok CHOI ,  Won Seon SEO ,  Kwang Hee JUNG

发明人： Soon Mok Choi ,  Won Seon Seo ,  Kwang Hee Jung

IPC分类号： C01G9/02 ,  H01L35/22

CPC分类号： C01G9/02 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  H01L35/22

摘要： The present invention relates to polycrystalline gallium-doped zinc oxide of which the power factor is improved due to increased gallium doping of same. Despite having a high carrier concentration, the Seebeck coefficient of Zn0.985Ga0.015O is higher than that of Zn0.990Ga0.010O, and this arises because of the effect of the density-of-states (DOS) effective mass. A steady increase in compression stress following gallium substitution occurs in the base portion of the conduction band DOS. The solubility limit of gallium in the zinc oxide matrix is increased because a low firing temperature accelerates chemical compression. Single phase n-type Zn0.985Ga0.015O exhibits a power factor of 12.5 μWcm−1K−2.

摘要翻译： 本发明涉及多晶镓掺杂氧化锌，其功率因数由于镓掺杂量的增加而提高。 尽管载流子浓度高，但Zn0.985Ga0.015O的塞贝克系数高于Zn0.990Ga0.010O的塞贝克系数，这是由于状态密度（DOS）有效质量的影响而产生的。 在导电带DOS的基部部分发生镓取代后的压缩应力的稳定增加。 镓在氧化锌基质中的溶解度极限增加，因为低的焙烧温度加速了化学压缩。 单相n型Zn0.985Ga0.015O的功率因数为12.5μWcm-1K-2。

公开(公告)号：US06936558B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10601776

申请日：2003-06-24

申请人： Dong Hwan Seo ,  Jong Hee Kim ,  Sung Hyung Kang ,  Soon Mok Choi ,  Hyuk Joon Youn

发明人： Dong Hwan Seo ,  Jong Hee Kim ,  Sung Hyung Kang ,  Soon Mok Choi ,  Hyuk Joon Youn

IPC分类号： C04B35/00 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C04B35/48 ,  H01B3/02 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  C04B35/486

CPC分类号： C03C3/068 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/12 ,  C03C3/066 ,  C04B35/16 ,  C04B35/481 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1236 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162

摘要： A low temperature sinterable dielectric ceramic composition, as well as a multilayer ceramic chip capacitor and a ceramic electronic device. The dielectric ceramic composition comprises a major composition represented by the general formula: x{αBaO, (1−α)SrO}-y{SiO2}-z{(1−β)ZrO2, β Al2O3} (wherein x, y and z are weight percentages; x+y+z=100, 55≦x≦75, 10≦y≦35, and 5≦z≦30, α and β are moles; 0.4≦α≦0.8, and 0.01≦β≦0.07) and 2 to 10 parts by weight of a Zn—B-silicate glass composition, per 100 parts by weight of the major composition. The multilayer ceramic chip capacitor and a multilayer ceramic circuit board for the electronic device comprise a plurality of dielectric ceramic layers, internal electrodes arrayed inside the dielectric ceramic layers, and outer electrodes electrically connected to the internal electrodes, characterized in that the dielectric ceramic layer is a sintered body of the dielectric ceramic composition mentioned above, and the internal electrode is made of a conductive base metal material.

摘要翻译： 低温可烧结介电陶瓷组合物，以及多层陶瓷片状电容器和陶瓷电子器件。 介电陶瓷组合物包含由以下通式表示的主要组成：x {αBaO，（1-α）SrO} -y {SiO 2} -z {（1-β）ZrO 2，其中x，y和z是重量百分比; x + y + z = 100,55 <= x < = 75，10 <= y <= 35，5 <= z <= 30，α和β为摩尔数;0.4≤α≤0.8，0.01≤β≤0.07）和2〜10重量份 的Zn-B硅酸盐玻璃组合物，每100重量份的主要组成。 多层陶瓷片状电容器和用于电子器件的多层陶瓷电路板包括多个电介质陶瓷层，排列在电介质陶瓷层内部的内部电极和与内部电极电连接的外部电极，其特征在于介电陶瓷层为 上述介电陶瓷组合物的烧结体，内部电极由导电性基体金属材料构成。