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    Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array
    3.
    发明申请
    Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array 有权
    相变存储器件，相变沟道晶体管和存储单元阵列

    公开(公告)号：US20110127486A1

    公开(公告)日：2011-06-02

    申请号：US12929610

    申请日：2011-02-03

    申请人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    发明人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase-change channel transistor includes a first electrode; a second electrode; a memory layer provided between the first and second electrodes; and a third electrode provided for the memory layer with an insulating film interposed therebetween, wherein the memory layer includes at least a first layer formed from a phase-change material which is stable in either an amorphous phase or a crystalline phase at room temperature and a second layer formed from a resistive material, and wherein the resistance value of the second layer is smaller than the resistance value of the first layer in the amorphous phase, but is larger than the resistance value of the first layer in the crystalline phase.

    摘要翻译： 相变沟道晶体管包括第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的存储层; 以及设置在所述存储层中的绝缘膜的第三电极，其中所述存储层至少包括由在室温下在非晶相或结晶相中稳定的相变材料形成的第一层，以及 由电阻材料形成的第二层，并且其中所述第二层的电阻值小于所述第一层在所述非晶相中的电阻值，但大于所述第一层在所述结晶相中的电阻值。

    Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array
    4.
    发明授权
    Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array 有权
    相变存储器件，相变沟道晶体管和存储单元阵列

    公开(公告)号：US08120007B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US12929610

    申请日：2011-02-03

    申请人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    发明人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase-change channel transistor includes a first electrode; a second electrode; a memory layer provided between the first and second electrodes; and a third electrode provided for the memory layer with an insulating film interposed therebetween, wherein the memory layer includes at least a first layer formed from a phase-change material which is stable in either an amorphous phase or a crystalline phase at room temperature and a second layer formed from a resistive material, and wherein the resistance value of the second layer is smaller than the resistance value of the first layer in the amorphous phase, but is larger than the resistance value of the first layer in the crystalline phase.

    摘要翻译： 相变沟道晶体管包括第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的存储层; 以及设置在所述存储层中的绝缘膜的第三电极，其中所述存储层至少包括由在室温下在非晶相或结晶相中稳定的相变材料形成的第一层，以及 由电阻材料形成的第二层，并且其中所述第二层的电阻值小于所述第一层在所述非晶相中的电阻值，但大于所述第一层在所述结晶相中的电阻值。

    Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array
    5.
    发明授权
    Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array 有权
    相变存储器件，相变沟道晶体管和存储单元阵列

    公开(公告)号：US07897958B2

    公开(公告)日：2011-03-01

    申请号：US11882582

    申请日：2007-08-02

    申请人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    发明人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： To reduce the voltage required to cause a phase transition from an amorphous phase to a crystalline phase, a phase-change memory device (1) comprises: a first electrode (6); a second electrode (8); and a memory layer (14) provided between the first (6) and second (8) electrodes, wherein the memory layer (14) includes at least a first layer (10) formed from a phase-change material which is stable in either the amorphous phase or the crystalline phase at room temperature, and a second layer (12) formed from a resistive material, and wherein the resistance value of the second layer (12) is smaller than the resistance value of the first layer (10) in the amorphous phase, but is larger than the resistance value of the first layer (10) in the crystalline phase.

    摘要翻译： 为了降低引起从非晶相到结晶相的相变所需的电压，相变存储器件（1）包括：第一电极（6）; 第二电极（8）; 以及设置在所述第一电极（6）和第二电极（8）之间的存储层（14），其中所述存储层（14）至少包括由相变材料形成的第一层（10） 非晶相或室温下的结晶相和由电阻材料形成的第二层（12），并且其中第二层（12）的电阻值小于第一层（10）的电阻值， 非晶相，但大于结晶相中第一层（10）的电阻值。

    Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array
    8.
    发明申请
    Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array 有权
    相变存储器件，相变沟道晶体管和存储单元阵列

    公开(公告)号：US20080049490A1

    公开(公告)日：2008-02-28

    申请号：US11882582

    申请日：2007-08-02

    申请人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    发明人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Masaki Yoshimaru ,  Takashi Ono ,  Mayumi Nakasato

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： To reduce the voltage required to cause a phase transition from an amorphous phase to a crystalline phase, a phase-change memory device (1) comprises: a first electrode (6); a second electrode (8); and a memory layer (14) provided between the first (6) and second (8) electrodes, wherein the memory layer (14) includes at least a first layer (10) formed from a phase-change material which is stable in either the amorphous phase or the crystalline phase at room temperature, and a second layer (12) formed from a resistive material, and wherein the resistance value of the second layer (12) is smaller than the resistance value of the first layer (10) in the amorphous phase, but is larger than the resistance value of the first layer (10) in the crystalline phase.

    摘要翻译： 为了降低引起从非晶相到结晶相的相变所需的电压，相变存储器件（1）包括：第一电极（6）; 第二电极（8）; 以及设置在所述第一电极（6）和第二电极（8）之间的存储层（14），其中所述存储层（14）至少包括由相变材料形成的第一层（10） 非晶相或室温下的结晶相和由电阻材料形成的第二层（12），并且其中第二层（12）的电阻值小于第一层（10）的电阻值， 非晶相，但大于结晶相中第一层（10）的电阻值。

    MASS MEASURING DEVICE AND CANTILEVER
    9.
    发明申请
    MASS MEASURING DEVICE AND CANTILEVER 审中-公开
    大容量测量装置和CANTILEVER

    公开(公告)号：US20100095774A1

    公开(公告)日：2010-04-22

    申请号：US12517805

    申请日：2007-12-05

    申请人： Hayato Sone ,  Sumio Hosaka ,  Haruki Okano ,  Mitsumasa Suzuki

    发明人： Hayato Sone ,  Sumio Hosaka ,  Haruki Okano ,  Mitsumasa Suzuki

    IPC分类号： G01N29/00

    CPC分类号： G01N29/022 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0255 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/0427

    摘要： Minute masses of a plurality of measuring objects are measured at a time.A multi-lever is prepared, in which a plurality of cantilevers, each having a buried piezoresistance element, is provided. Different measuring object attracting substances are coated on the multi-lever. The multi-lever is driven by a single vibration exciting device. The vibrational frequency is swept within a predetermined range, and the resonance frequency of each cantilever is detected. Frequency changes before putting in and after putting in the measuring object are detected, and based on this, the mass changes are calculated.

    摘要翻译： 一次测量多个测量对象的分钟质量。 制备多杆，其中提供了多个悬臂，每个悬臂均具有埋置的压电元件。 不同的测量对象吸引物质涂在多杆上。 多杆由单个振动激励装置驱动。 振动频率在预定范围内扫描，并且检测每个悬臂的共振频率。 在放入测量对象之前和之后的频率变化被检测到，并且基于此，计算质量变化。

    Cantilever Type Sensor
    10.
    发明申请
    Cantilever Type Sensor 审中-公开
    悬臂式传感器

    公开(公告)号：US20100199746A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：US11910199

    申请日：2006-03-30

    申请人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Haruki Okano ,  Masami Iwasaki

    发明人： Sumio Hosaka ,  Hayato Sone ,  Haruki Okano ,  Masami Iwasaki

    IPC分类号： G01N29/02 ,  G01H13/00 ,  G01N29/24

    CPC分类号： G01N5/02 ,  G01G3/16

    摘要： A cantilever type sensor includes a cantilever, an actuator that oscillates the cantilever, and a sensor provided at the cantilever so as to detect an oscillation condition of the cantilever. Further, the cantilever type sensor includes a control unit that controls the actuator so as to cause the cantilever to be subjected to pulse excitation, and a measurement unit that measures a physical quantity related to a measurement object, based on a change in pulse response detected in the sensor.

    摘要翻译： 悬臂式传感器包括悬臂，使悬臂振动的致动器和设置在悬臂处的传感器，以便检测悬臂的振荡状态。 此外，悬臂式传感器包括：控制单元，其控制致动器以使悬臂受到脉冲激励;以及测量单元，其基于检测到的脉冲响应的变化来测量与测量对象相关的物理量 在传感器中。