公开(公告)号：US20100295094A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12848668

申请日：2010-08-02

申请人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

发明人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.

摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。

公开(公告)号：US08154049B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12848668

申请日：2010-08-02

申请人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

发明人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.

摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。

公开(公告)号：US07888703B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12028667

申请日：2008-02-08

申请人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

发明人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.

摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。

公开(公告)号：US20080192395A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12028667

申请日：2008-02-08

申请人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

发明人： Sven Albers ,  Klaus Diefenbeck ,  Bernd Eisener ,  Gernot Langguth ,  Christian Lehrer ,  Karl-Heinz Malek ,  Eberhard Rohrer

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.

摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。