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公开(公告)号：US20100295094A1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：US12848668
申请日：2010-08-02
申请人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
发明人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.
摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。
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公开(公告)号：US08154049B2
公开(公告)日：2012-04-10
申请号：US12848668
申请日：2010-08-02
申请人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
发明人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.
摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。
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公开(公告)号：US07888703B2
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：US12028667
申请日：2008-02-08
申请人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
发明人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.
摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。
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公开(公告)号：US20080192395A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：US12028667
申请日：2008-02-08
申请人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
发明人： Sven Albers , Klaus Diefenbeck , Bernd Eisener , Gernot Langguth , Christian Lehrer , Karl-Heinz Malek , Eberhard Rohrer
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.
摘要翻译： ESD保护装置包括衬底，布置在衬底中的晶体管结构和布置在衬底中的二极管结构，在晶体管结构和衬底中的二极管结构之间提供高电阻电连接。
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公开(公告)号：US09197061B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：US12975210
申请日：2010-12-21
申请人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Klaus von Arnim , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Gernot Langguth
发明人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Klaus von Arnim , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Gernot Langguth
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0285
摘要： Techniques and architectures corresponding to electrostatic discharge clamping circuits with tracing circuitry are described.
摘要翻译： 描述对应于具有跟踪电路的静电放电钳位电路的技术和架构。
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公开(公告)号：US08976496B2
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：US12975069
申请日：2010-12-21
申请人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Gernot Langguth , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Klaus von Arnim
发明人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Gernot Langguth , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Klaus von Arnim
摘要： Techniques and architectures corresponding to electrostatic discharge blocking circuits are described.
摘要翻译： 描述对应于静电放电阻断电路的技术和架构。
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公开(公告)号：US20120154961A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：US12975069
申请日：2010-12-21
申请人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Gernot Langguth , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Klaus von Arnim
发明人： Christian Russ , Wolfgang Soldner , Gernot Langguth , David Alvarez , Krzysztof Domanski , Klaus von Arnim
IPC分类号： H02H9/04
摘要： Techniques and architectures corresponding to electrostatic discharge blocking circuits are described.
摘要翻译： 描述对应于静电放电阻断电路的技术和架构。
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公开(公告)号：US07943928B2
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：US11603340
申请日：2006-11-21
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/861
摘要： An ESD protection structure includes a structure to be protected disposed in a semiconductor body. A region of a first conductivity type is disposed within the semiconductor body and a channel is disposed in the semiconductor body and extends through the region of the first conductivity type. A semiconductor of a second conductivity type is disposed within the channel adjacent the region of the first conductivity type such that the region of the first conductivity type and the semiconductor of the second conductivity type form a diode. At least one of the region of the first conductivity type and the semiconductor of the second conductivity type is electrically coupled to the structure to be protected.
摘要翻译： ESD保护结构包括被配置在半导体本体中的要被保护的结构。 第一导电类型的区域设置在半导体本体内，并且沟道设置在半导体本体中并且延伸穿过第一导电类型的区域。 第二导电类型的半导体设置在与第一导电类型的区域相邻的沟道内，使得第一导电类型的区域和第二导电类型的半导体形成二极管。 第一导电类型的区域和第二导电类型的半导体中的至少一个电耦合到待保护的结构。
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9.发明申请INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT COMPRISING A PIN DIODE, AND PRODUCTION METHOD 有权包含PIN二极管的集成电路布置和生产方法公开(公告)号：US20090209057A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：US12351623
申请日：2009-01-09
申请人： Gernot Langguth , Karlheinz Mueller , Holger Wille
发明人： Gernot Langguth , Karlheinz Mueller , Holger Wille
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L27/14681
摘要： An integrated circuit arrangement includes a pin photodiode and a highly doped connection region of a bipolar transistor. A production method produces an intermediate region of the pin diode with a large depth and without auto-doping in a central region.
摘要翻译： 集成电路装置包括pin光电二极管和双极晶体管的高度掺杂的连接区域。 生产方法产生具有较大深度的pin二极管的中间区域，并且在中心区域中不产生自动掺杂。
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公开(公告)号：US20080035924A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：US11603340
申请日：2006-11-21
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/861
摘要： An ESD protection structure includes a structure to be protected disposed in a semiconductor body. A region of a first conductivity type is disposed within the semiconductor body and a channel is disposed in the semiconductor body and extends through the region of the first conductivity type. A semiconductor of a second conductivity type is disposed within the channel adjacent the region of the first conductivity type such that the region of the first conductivity type and the semiconductor of the second conductivity type form a diode. At least one of the region of the first conductivity type and the semiconductor of the second conductivity type is electrically coupled to the structure to be protected.
摘要翻译： ESD保护结构包括被配置在半导体本体中的要被保护的结构。 第一导电类型的区域设置在半导体本体内，并且沟道设置在半导体本体中并且延伸穿过第一导电类型的区域。 第二导电类型的半导体设置在与第一导电类型的区域相邻的沟道内，使得第一导电类型的区域和第二导电类型的半导体形成二极管。 第一导电类型的区域和第二导电类型的半导体中的至少一个电耦合到待保护的结构。
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