公开(公告)号：US20050082559A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10685004

申请日：2003-10-15

申请人： Syed Hasan Zaidi ,  Alois Gutmann ,  Gary Williams

发明人： Syed Hasan Zaidi ,  Alois Gutmann ,  Gary Williams

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L29/227

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00

摘要： A method and mask to improve measurement of alignment marks is disclosed. An exemplary embodiment of the invention includes a resist mask with a patterned alignment mark comprising an assemblage of features whose spacing is smaller than the wavelength of light used to measure the alignment. In a preferred embodiment, an alignment mark patterning process alters the appearance of the alignment mark and renders an enhanced contrast with the substrate background.

摘要翻译： 公开了一种改善对准标记测量的方法和掩模。 本发明的示例性实施例包括具有图案化对准标记的抗蚀剂掩模，该掩模包括具有小于用于测量对准的光的波长的特征的组合。 在优选实施例中，对准标记图案化工艺改变对准标记的外观，并提高与衬底背景的对比度。