公开(公告)号：US20150001728A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US13927570

申请日：2013-06-26

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： Li CHEN ,  Jyh-Nan LIN ,  Chin-Feng SUN ,  Po-Hsiung LEU ,  Ding-I LIU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76883

摘要： A method of forming a semiconductor device, the method includes performing, in a first module, a remote plasma treatment on a wafer to remove an oxide layer from the wafer by a reduction reaction. The method further includes transferring the pre-treated wafer from the first module to a second module under a vacuum. The method further includes forming, in the second module, an etch stop layer over the wafer.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括在第一模块中执行在晶片上的远程等离子体处理，以通过还原反应从晶片去除氧化物层。 该方法还包括在真空下将预处理晶片从第一模块转移到第二模块。 该方法还包括在第二模块中形成在晶片之上的蚀刻停止层。