公开(公告)号：US06310890B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09061931

申请日：1998-04-17

申请人： Tae-Ho Choi

发明人： Tae-Ho Choi

IPC分类号： A04B7216

CPC分类号： H04L69/32 ,  H04B1/707 ,  H04W4/18 ,  H04W80/02 ,  H04W84/14

摘要： Disclosed is a system of processing, converting and distributing a message in the network hierarchy of a fixed subscriber unit (FSU) in a Broad band Code Division Multiple Access Wireless Local Loop (B-CDMA WLL). The network hierarchy includes first to seven layers. The first layer is provided with a SLIC2, ADPCM/PCM module, MAC module, PHL module and LLME. The second layer is provided with a DLC module. The third layer is provided with a network module. The higher layers are provided with a subscriber module and a retaining module. The network module serves to process and format a message communicated between the LLME and the subscriber or retaining module to distribute the formatted message among the subscriber and retaining modules or conversely to transfer it to the LLME.

摘要翻译： 公开了在宽带码分多址无线本地环路（B-CDMA WLL）中的固定用户单元（FSU）的网络层级中处理，转换和分发消息的系统。 网络层次结构包括一到七层。 第一层提供SLIC2，ADPCM / PCM模块，MAC模块，PHL模块和LLME。 第二层设置有DLC模块。 第三层设有网络模块。 较高层设置有用户模块和保持模块。 网络模块用于处理和格式化在LLME和订户或保留模块之间传送的消息，以在订户和保留模块之间分发格式化的消息，或者反过来将其传送到LLME。

公开(公告)号：US09281202B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US12604757

申请日：2009-10-23

申请人： Tae-Ho Choi ,  Jung-Hwan Lee ,  Heung-Gee Hong ,  Jeong-Ho Cho ,  Min-Wan Choo ,  Il-Seok Han

发明人： Tae-Ho Choi ,  Jung-Hwan Lee ,  Heung-Gee Hong ,  Jeong-Ho Cho ,  Min-Wan Choo ,  Il-Seok Han

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile memory cell and a method for fabricating the same can secure stable operational reliability as well as reducing a cell size. The nonvolatile memory cell includes a drain region formed in a substrate, a source region formed in the substrate to be separated from the drain region, a floating gate formed over the substrate between the drain region and the source region, a halo region formed in the substrate in a direction that the drain region is formed, a dielectric layer formed on sidewalls of the floating gate, and a control gate formed over the dielectric layer to overlap with at least one sidewall of the floating gate.

摘要翻译： 非易失性存储单元及其制造方法可以确保稳定的操作可靠性以及减小单元尺寸。 非易失性存储单元包括形成在衬底中的漏极区，形成在衬底中的与漏极区分离的源极区，在漏极区和源极区之间形成在衬底上的浮置栅， 在形成漏极区域的方向上形成衬底，形成在浮置栅极的侧壁上的电介质层以及形成在电介质层上以与浮动栅极的至少一个侧壁重叠的控制栅极。