公开(公告)号：US5300945A

公开(公告)日：1994-04-05

申请号：US896100

申请日：1992-06-10

申请人： Takaaki Iemoto ,  Koji Kumada ,  Takashi Ohnishi ,  Hideki Yakushigawa

发明人： Takaaki Iemoto ,  Koji Kumada ,  Takashi Ohnishi ,  Hideki Yakushigawa

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3677 ,  G09G3/30 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2320/0219 ,  G09G3/3614

摘要： A drive circuit for a display apparatus having a display section including a pixel, a switching element connected to the pixel and a scanning electrode connected to the switching element, and a pixel electrode and a counter electrode being provided on opposite sides of the pixel, includes a circuit for applying a first oscillating voltage to the counter electrode, and for applying a second oscillating voltage having the same phase and the same amplitude as the first oscillating voltage to the scanning electrode during a period when the switching element is to be in off-state.

摘要翻译： 一种用于显示装置的驱动电路，具有包括像素的显示部分，连接到像素的开关元件和连接到开关元件的扫描电极以及设置在像素的相对侧上的像素电极和对电极。 用于将第一振荡电压施加到对置电极的电路，并且用于在开关元件将断开的时段期间向扫描电极施加与第一振荡电压具有相同相位和相同振幅的第二振荡电压， 州。

公开(公告)号：US06912236B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US09918018

申请日：2001-07-30

申请人： Hitoshi Shimizu ,  Koji Kumada

发明人： Hitoshi Shimizu ,  Koji Kumada

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/32358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34306

摘要： A semiconductor laser device includes a QW active layer structure including a GaxIn1−xAs1−ySby layer wherein 0.3≦1−x and 0.003≦y≦0.008, or a QW active layer structure including a GaxIn1−xAs1−y1−y2Ny1Sby2 layer wherein 0.3≦1−x, 0

摘要翻译： 半导体激光器件包括QW有源层结构，该QW有源层结构包括Ga x In 1-x As 1 y y Sb y y 其中0.3 <= 1-x和0.003 <= y <= 0.008的QW有源层结构，或包括Ga x In 1-x A A >其中0.3 <= 1-x，0 。 半导体激光器件抑制三维外延生长，具有优异的包括低阈值电流的光学特性。

公开(公告)号：US20050180485A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11107871

申请日：2005-04-18

申请人： Hitoshi Shimizu ,  Koji Kumada

发明人： Hitoshi Shimizu ,  Koji Kumada

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S3/14 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/477 ,  H01S3/091 ,  H01S3/094

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/32358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34306

摘要： A semiconductor laser device includes a QW active layer structure including a GaxIn1-xAs1-ySby layer wherein 0.3≦1-x and 0.003≦y≦0.008, or a QW active layer structure including a GaxIn1-xAs1-y2Ny1Sby2 layer wherein 0.3≦1-x, 0

摘要翻译： 半导体激光器件包括QW有源层结构，该QW有源层结构包括Ga x In 1-x As 1 y y Sb y y 其中0.3 <= 1-x和0.003 <= y <= 0.008的QW有源层结构，或包括Ga x In 1-x A A 其中0.3 <= 1-x，0 y1 y2 半导体激光器件抑制三维外延生长，具有优异的包括低阈值电流的光学特性。