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发明申请
INSULATING FILM MATERIAL, METHOD FOR FORMING FILM BY USING THE INSULATING FILM MATERIAL, AND INSULATING FILM 审中-公开
标题翻译：绝缘膜材料，使用绝缘膜材料形成薄膜的方法和绝缘膜

公开(公告)号：US20110159212A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13060525

申请日：2009-09-01

申请人： Takahisa Ohno , Nonuo Tajima , Yoshiaki Inaishi , Manabu Shinriki , Kazuhiro Miyazawa

发明人： Takahisa Ohno , Nonuo Tajima , Yoshiaki Inaishi , Manabu Shinriki , Kazuhiro Miyazawa

IPC分类号： C23C16/44 , C07F7/08 , H05H1/24

CPC分类号： C23C16/401 , H01L21/02123 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/314

摘要： An insulating film material for plasma CVD, wherein the material is represented by the chemical formula (1); a film forming method using the material; and an insulating film; (in the formula, m and n represent integer of 3 to 6, and m and n may be the same or different from each other in a molecule.)

摘要翻译： 一种用于等离子体CVD的绝缘膜材料，其中该材料由化学式（1）表示; 使用该材料的成膜方法; 和绝缘膜; （式中，m和n表示3〜6的整数，m和n在分子中可以相同也可以不同。）