公开(公告)号：US06472803B1

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09369460

申请日：1999-08-06

申请人： Atsushi Yoshizawa ,  Hideo Satoh ,  Takashi Yamada ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Takuya Hata ,  Takamasa Yoshikawa ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

发明人： Atsushi Yoshizawa ,  Hideo Satoh ,  Takashi Yamada ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Takuya Hata ,  Takamasa Yoshikawa ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

IPC分类号： H01J102

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J63/06

摘要： An electron emission light-emitting device comprises an electron emission device and a fluorescent material layer formed on the thin-film metal. The electron emission device comprises an electron-supply layer made of semiconductor formed on an ohmic electrode; an insulator layer formed on the electron-supply layer; and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The electron emission light-emitting device emits light when an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal.

摘要翻译： 电子发射发光器件包括形成在薄膜金属上的电子发射器件和荧光材料层。 电子发射器件包括形成在欧姆电极上的由半导体制成的电子供应层; 形成在电子供给层上的绝缘体层; 以及形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 当在电子供给层和薄膜金属之间施加电场时，电子发射发光装置发光。

公开(公告)号：US06285123B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US09393806

申请日：1999-09-10

申请人： Takashi Yamada ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takuya Hata ,  Shingo Iwasaki ,  Nobuyasu Negishi ,  Takashi Chuman ,  Hideo Satoh ,  Hiroshi Ito ,  Takamasa Yoshikawa ,  Kiyohide Ogasawara

发明人： Takashi Yamada ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takuya Hata ,  Shingo Iwasaki ,  Nobuyasu Negishi ,  Takashi Chuman ,  Hideo Satoh ,  Hiroshi Ito ,  Takamasa Yoshikawa ,  Kiyohide Ogasawara

IPC分类号： H01J162

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127

摘要： An electron emission device includes an electron-supply layer formed of metal or semiconductor; an insulator layer formed on the electron-supply layer; and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer, whereby electrons are emitted when an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode. The insulator layer and the thin-film metal electrode have at least one island-like region where the thicknesses of the insulator layer and the thin-film metal electrode gradually decrease.

摘要翻译： 电子发射装置包括由金属或半导体形成的电子供应层; 形成在电子供给层上的绝缘体层; 以及形成在绝缘体层上的薄膜金属电极，当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，发射电子。 绝缘体层和薄膜金属电极具有至少一个岛状区域，其中绝缘体层和薄膜金属电极的厚度逐渐降低。

公开(公告)号：US06388376B1

公开(公告)日：2002-05-14

申请号：US09369145

申请日：1999-08-05

申请人： Nobuyasu Negishi ,  Takuya Hata ,  Atsushi Yoshizawa ,  Hideo Satoh ,  Takashi Yamada ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Takamasa Yoshikawa ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

发明人： Nobuyasu Negishi ,  Takuya Hata ,  Atsushi Yoshizawa ,  Hideo Satoh ,  Takashi Yamada ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Takamasa Yoshikawa ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

IPC分类号： H01J1312

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

摘要： An electron emission device comprises an electron-supply layer made of metal or semiconductor and disposed on an ohmic electrode; an insulator layer formed on the electron-supply layer; and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The electron-supply layer is essentially composed of elements belonging to group IV and contains an additive of at least one material selected from atomic elements belonging to group III or V.

摘要翻译： 电子发射装置包括由金属或半导体制成并设置在欧姆电极上的电子供应层; 形成在电子供给层上的绝缘体层; 以及形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 电子供应层基本上由属于组IV的元素组成，并且含有选自属于III或Ⅴ族的原子元素的至少一种材料的添加剂。

公开(公告)号：US06259198B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09219779

申请日：1998-12-23

申请人： Shuuchi Yanagisawa ,  Takamasa Yoshikawa ,  Kazuto Sakemura ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Takashi Yamada ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

发明人： Shuuchi Yanagisawa ,  Takamasa Yoshikawa ,  Kazuto Sakemura ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Takashi Yamada ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara

IPC分类号： H01J162

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127

摘要： An electron emission device based flat panel display apparatus is composed of a pair of a back substrate and an optically transparent front substrate opposing to each other with a vacuum space interposed therebetween, and a plurality of electron emission devices, each of which includes an electron-supply layer made of metal or semiconductor, formed on ohmic electrodes formed on a surface of the back substrate proximate to the vacuum space, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer and facing the vacuum space. The front substrate includes collector electrodes formed on its surface proximate to the vacuum space, fluorescent material layers formed on the collector electrodes, and an image display array composed of a plurality of light emitting elements corresponding to the fluorescent material layers. The electron emission device based flat panel display apparatus also comprises an insulative support member formed on the back substrate and disposed between adjacent ones of the electron emission devices, and a plurality of electrodes, each of which is disposed between adjacent ones of the thin-film metal electrodes and on the insulative support member for electrically connecting the thin-film metal electrodes.

摘要翻译： 一种基于电子发射装置的平板显示装置由一对背面基板和光学透明的前基板组成，彼此相对地设有真空空间，以及多个电子发射装置， 由形成在靠近真空空间的背面基板的表面上的欧姆电极上形成的由金属或半导体制成的供电层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极，以及 面对真空空间。 前基板包括在其靠近真空空间的表面上形成的集电极，形成在集电极上的荧光材料层，以及由与荧光材料层对应的多个发光元件组成的图像显示阵列。 基于电子发射装置的平板显示装置还包括形成在背面基板上并设置在相邻的电子发射装置之间的绝缘支撑构件，以及多个电极，每个电极设置在相邻的薄膜 金属电极和用于电连接薄膜金属电极的绝缘支撑构件上。

公开(公告)号：US06400070B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09131224

申请日：1998-08-07

申请人： Takashi Yamada ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Takashi Yamada ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J102

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2329/00

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer is made of a silicon wafer. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上。 电子供应层由硅晶片制成。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US06316873B1

公开(公告)日：2001-11-13

申请号：US09131339

申请日：1998-08-07

申请人： Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Hiroshi Ito ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J162

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer has a silicide layer. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上。 电子供给层具有硅化物层。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US06278230B1

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：US09131225

申请日：1998-08-07

申请人： Atsushi Yoshizawa ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Atsushi Yoshizawa ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J1924

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2329/00

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer has a film thickness of 2.5 &mgr;m or greater. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上。 电子供给层的膜厚为2.5μm以上。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US06184612B2

公开(公告)日：2001-02-06

申请号：US09131340

申请日：1998-08-07

申请人： Nobuyasu Negishi ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Nobuyasu Negishi ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J102

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2329/00

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer is made of hydrogenated amorphous silicon. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上。 电子供应层由氢化非晶硅制成。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US6066922A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US131222

申请日：1998-08-07

申请人： Shingo Iwasaki ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Shingo Iwasaki ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  G09G3/10

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has at a film thickness of 50 nm or greater and a field-stabilizing layer. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上，场稳定层。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US6166487A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：US520213

申请日：2000-03-07

申请人： Nobuyasu Negishi ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Kiyohide Ogasawara ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito

发明人： Nobuyasu Negishi ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Kiyohide Ogasawara ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J63/04

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2329/00

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer is made of a dielectric substance and has a film thickness of 50 nm or greater. When an electric field is applied between the electron supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供给层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层由电介质材料制成，膜厚度为50nm以上。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。